嶋紘平

シマコウヘイ | Shima Kohei

所属機関・部署：
職名：准教授
ホームページURL (1件)： https://www.scopus.com/authid/detail.uri?authorId=55365156000

研究分野 (4件)：応用物理一般 , 結晶工学 , 反応工学、プロセスシステム工学 , 材料加工、組織制御

研究キーワード (20件)：窒化ホウ素 , 二次元材料 , 深紫外線発光素子 , 気相エピタキシャル成長法 , アモノサーマル法 , 時間空間同時分解カソードルミネッセンス , 空孔型欠陥 , イオン注入 , III族窒化物半導体 , ポラリトンレーザ , 励起子 , ワイドバンドギャップ半導体 , 光エレクトロニクス , 化学気相含浸 , SiC/SiCセラミックス基複合材料 , 繊維強化セラミックス , 原子層堆積 , 化学気相成長 , メタライゼーション , ULSI銅配線

競争的資金等の研究課題 (13件)：

2023 - 2025 グラファイト型層状窒化ホウ素の気相合成と光電子素子材料としての物性解明
2022 - 2025 六方晶および閃亜鉛鉱構造窒化ホウ素の高温気相エピタキシャル成長と導電性制御
2021 - 2024 ZnO微小共振器への電流注入による室温ポラリトンレーザ発振
2022 - 2023 ZnO微小共振器による室温ポラリトンレーザ発振の実証
2020 - 2022 六方晶窒化ボロン半導体の直接遷移型化と深紫外励起子発光ダイナミクスの研究

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論文 (49件)：

S. F. Chichibu, K. Shima, A. Uedono, S. Ishibashi, H. Iguchi, T. Narita, K. Kataoka, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, et al. Impacts of vacancy complexes on the room-temperature photoluminescence lifetimes of state-of-the-art GaN substrates, epitaxial layers, and Mg-implanted layers. Journal of Applied Physics. 2024. 135. 185701-1-20
K. Shima, K. Kurimoto, Q. Bao, Y. Mikawa, M. Saito, D. Tomida, A. Uedono, S. Ishibashi, T. Ishiguro, S. F. Chichibu. Improved midgap recombination lifetimes in GaN crystals grown by the low-pressure acidic ammonothermal method. Applied Physics Letters. 2024. 124. 18. 181103-1-6
A. Uedono, R. Tanaka, S. Takashima, K. Ueno, M. Edo, K. Shima, S. F. Chichibu, J. Uzuhashi, T. Ohkubo, S. Ishibashi, et al. Vacancy-type defects and their trapping/detrapping of charge carriers in ion-implanted GaN studied by positron annihilation. Physica Status Solidi B. 2024. 261. 2400060-1-10
K. Shima, T. S. Cheng, C. J. Mellor, P. H. Beton, C. Elias, P. Valvin, B. Gil, G. Cassabois, S. V. Novikov, S. F. Chichibu. Cathodoluminescence spectroscopy of monolayer hexagonal boron nitride. Scientific Reports. 2024. 14. 169-1-8
T. Onuma, K. Kudo, M. Ono, W. Kosaka, K. Shima, K. Ishii, K. Kaneko, Y. Ota, T. Yamaguchi, K. Kojima, et al. Steady-state and dynamic characteristics of deep UV luminescence in rocksalt-structured Mg_xZn_1-xO. Journal of Applied Physics. 2023. 134. 2. 025102-1-11

特許 (6件)：

Method of producing a silicon compound material and apparatus for producing a silicon compound material
Heat-resistant composite material production method and production device
Heat-resistant composite material production method and production device
耐熱複合材料の製造方法及び製造装置
耐熱複合材料の製造方法及び製造装置

書籍 (2件)：

全方位フォトルミネセンス(ODPL)分光法を用いたGaN自立結晶の評価
S&T出版「次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術」 2022 ISBN:9784907002930
大口径・高純度GaN単結晶基板の量産法と結晶評価
S&T出版「次世代パワーエレクトロニクスの課題と評価技術」 2022 ISBN:9784907002930

講演・口頭発表等 (234件)：

275 nm 帯AlGaN 量子井戸LED の初期劣化について
(第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2024)
酸性アモノサーマル法の低圧化と大口径GaNバルク結晶作製技術の進展
(第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2024)
Mgイオン注入GaNにおける空孔型欠陥のルミネッセンス評価
(第16回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 2024)
Technology development for long life and high efficiency DUV LEDs
(The 10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'24) 2024)
Short-term degradation mechanisms of 275-nm-band AlGaN quantum well deep-ultraviolet light emitting diodes fabricated on a sapphire substrate
(The 10th International Conference on Light-Emitting Devices and Their Industrial Applications (LEDIA'24) 2024)

Works (1件)：

Microchannels: High-Aspect-Ratio Parallel-Plate Microchannels Applicable to Kinetic Analysis of Chemical Vapor Deposition
Kohei Shima, Yuichi Funato, Hidetoshi Sugiura, Noboru Sato, Yasuyuki Fukushima, Takeshi Momose, Yukihiro Shimogaki 2016 - 現在

学歴 (3件)：

- 2017 東京大学工学系研究科マテリアル工学専攻
- 2013 東京大学工学系研究科マテリアル工学専攻
- 2011 東京大学工学部マテリアル工学専攻

学位 (3件)：

博士(工学) (東京大学)
修士 (東京大学)
学士 (東京大学)

経歴 (10件)：

2023/04 - 現在東北大学多元物質科学研究所計測研究部門准教授
2018/08 - 2023/03 東北大学多元物質科学研究所計測研究部門助教
2017/04 - 2018/07 東北大学多元物質科学研究所計測研究部門ポスドク
2013/04 - 2017/03 東京大学工学系研究科マテリアル工学専攻博士課程
2012/10 - 2017/03 東京大学統合物質科学リーダー養成プログラム(MERIT)

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受賞 (7件)：

2023/03 - トーキン科学技術振興財団第33回(令和4年度)トーキン財団奨励賞室温で共振器ポラリトンを呈するチップサイズ酸化亜鉛微小共振器の実現
2021/07 - 公益社団法人応用物理学会第43回(2021年度)応用物理学会優秀論文賞 Room temperature photoluminescence lifetime for the near-band-edge emission of epitaxial and ion-implanted GaN on GaN structures
2019/07 - The 13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-13) ベストポスター賞 Evaluation of Subsequent Implantation Effect into Mg Implanted Region in GaN
2019/06 - 19th International Workshop on Junction Technology (IWJT2019) Best Paper Award "Photoluminescence Studies of Sequentially Mg and H Ion-implanted GaN with Various Implantation Depths and Crystallographic Planes"
2015/12 - COMSOL Conference Tokyo 2015優秀ポスター賞微細溝への薄膜堆積における溝内膜厚分布の時間変化の可視化

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所属学会 (3件)：

日本結晶成長学会 , 応用物理学会 , 化学工学会

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