姚永昭

ヤオヨンチャオ | Yao Yongzhao

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (3件)：無機材料、物性 , 結晶工学 , 結晶工学

研究キーワード (9件)：結晶欠陥評価 , ワイドギャップ半導体 , パワーデバイス , 放射光X線トポグラフィー , X線・電子線回折 , オペランド観察 , 酸化ガリウム , III族窒化物 , 化合物半導体

競争的資金等の研究課題 (19件)：

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論文 (92件)：

Narihito Okada, Ryota Hidaka, Taketo Kowaki, Takahiro Saito, Yoshihiro Sugawara, Daisaku Yokoe, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Satoshi Kurai, Yoichi Yamada, et al. Fabrication of high-quality Al-polar and N-polar AlN templates through self-forming tiny-pit layers and polarity inversion. Journal of Applied Physics. 2024. 136. 025705
Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Yongzhao Yao, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa. Characteristics of dislocations induced by Vickers indentation in hydride vapor phase epitaxy GaN. Journal of Materials Science. 2024. 59. 2974-2987
Yongzhao Yao, Yoshihiro Sugawara, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Yukari Ishikawa. Anisotropic mechanical properties of β-Ga₂O₃ single-crystal measured via angle-dependent nanoindentation using a Berkovich indenter【Open Access】. Journal of Applied Physics. 2023. 134. 215106
Yongzhao Yao, Yoshiyuki Tsusaka, Keiichi Hirano, Kohei Sasaki, Akito Kuramata, Yoshihiro Sugawara, Yukari Ishikawa. Three-dimensional distribution and propagation of dislocations in β-Ga₂O₃ revealed by Borrmann effect X-ray topography【Open Access】. Journal of Applied Physics. 2023. 134. 155104
Taketo Kowaki, Wataru Matsumura, Koki Hanasaku, Ryo Okuno, Daisuke Inahara, Shunsuke Matsuda, Satoshi Kurai, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Narihito Okada, et al. Si Doping Effects in AlGaN Channel Layer on Performance of N-polar AlGaN/AlN FETs. physica status solidi (a). 2023. 220. 2200872

MISC (7件)：

姚永昭. Imaging of dislocations in β -Ga2O3 via X-ray topography based on anomalous transmission. SPring-8/SACLA Research Frontiers 2023. 2024. 2023. 108-109
姚永昭. X線異常透過を利用した酸化ガリウム結晶欠陥撮影. 公益社団法人日本アイソトープ協会 Isotope News. 2023. 789. 24-28
姚永昭. 低損失パワーデバイス用半導体材料β-Ga2O3 の転位評価技術の開発. (公財)日本板硝子材料工学助成会 NSG Found. Mat. Sci. Eng. Rep. 2023. 41. 203-209
姚永昭, 石川由加里. ラマン分光法、X線回折およびエッチピット法を用いた超ワイドバンドギャップ半導体ウエハの結晶性評価. Jasco Report. 2021. 63. 1
姚永昭, 石川由加里, 菅原義弘, 斎藤広明, 旦野克典, 鈴木寛, 河合洋一郎. 炭化ケイ素ウエハの簡易な欠陥検出法の開発. FC Report. 2013. 31. 1. 12-14

特許 (13件)：

講演・口頭発表等 (46件)：

ワイドギャップパワー半導体の格子欠陥可視化技術の開発
((INVITED TALK) 表面真空学会中部支部研究会 2024)
GaNとAlNの単結晶基板中の転位の評価技術
((INVITED TALK) GaNコンソーシアム 2024年度サマースクール 2024)
放射光X線トポグラフィーによるパワー半導体単結晶の欠陥観察
((INVITED TALK) SPring-8秋の学校講師 2024)
次世代パワー半導体の結晶欠陥評価技術の開発
((INVITED TALK) ブルカーワークショップ2024@名古屋 2024)
Application of synchrotron-radiation and laboratory X-ray imaging techniques for defect analysis of β-Ga2O3 single crystals and power devices
((ORAL) IWGO-5 (The 5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials), Berlin, Germany, May. 26-31, 2024 2024)

学歴 (3件)：

学位 (1件)：

経歴 (8件)：

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委員歴 (9件)：

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受賞 (15件)：

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所属学会 (6件)：

応用物理学会 , フォトンファクトリー同窓会 , X線トポグラフィ研究会 , KEK-PFユーザーアソシエーション , SPring-8ユーザー協同体 , 先進パワー半導体分科会

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姚 永昭