研究者
J-GLOBAL ID：202101014277452035   更新日: 2024年02月02日

小澤 哲夫

Ozawa Tetsuo | Ozawa Tetsuo
所属機関・部署：
静岡理工科大学 理工学部

静岡理工科大学 理工学部 について


職名： 教授
競争的資金等の研究課題 (6件)：
  • 2018 - 2021 窒素プラズマによるAlN転換層形成機構の解明と反応性スパッタによる単結晶成長技術
  • 2015 - 2018 窒素プラズマによるサファイア基板表面における高品質AlN転換層の単結晶成長技術
  • 2011 - 2013 プラズマ密度制御による窒化物半導体の液相成長
  • 2002 - 2004 熱光発電デバイス開発のための光電変換用III-V族混晶半導体セルの作製
  • 2001 - 2002 赤外光発電デバイスにおける単結晶基板の作製
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論文 (44件)：
  • V. Nirmal Kumar, Y. Hayakawa, M. Arivanandhan, G. Rajesh, T. Koyama, Y. Momose, T. Ozawa, Y. Okano, Y. Inatomi. Orientation-dependent dissolution and growth kinetics of InxGa1-xSb by vertical gradient freezing method under microgravity. Journal of Crystal Growth. 2018. 496-497. 15-17
  • Yasuhuro Hayakawa, Velu Nirmal Kumar, Mukannan Arivanandhan, Govindasamy Rajesh, Tadanobu Koyama, Yoshimi Momose, Kaoruho Sakata, Tetsuo Ozawa, Yasunori Okano, Yuko Inatomi. Effects of Gravity and Crystal Orientation on the Growth of InGaSb Ternary Alloy Semiconductors - Experiments at the International Space Station and on Earth-. INTERNATIONAL JOURNAL OF MICROGRAVITY SCIENCE AND APPLICATION. 2017. 34. 1
  • 早川 泰弘, Velu Nirmal Kumar, Mukannan Arivanandhan, 小山 忠信, 百瀬 与志美, 阪田 薫穂, 小澤 哲夫, 岡野 泰則, 稲富 裕光. 国際宇宙ステーション内の長期微小重力環境下におけるGaSb(111)Ga面及びSb面種結晶からのInGaSb三元混晶結晶成長. 応用物理学会学術講演会講演予稿集. 2016. 2016.2. 3048-3048
  • Velu Nirmal Kumar, Mukannan Arivanandhan, Govindasamy Rajesh, Tadanobu Koyama, Yoshimi Momose, Kaoruho Sakata, Tetsuo Ozawa, Yasunori Okano, Yuko Inatomi, Yasuhiro Hayakawa. Investigation of directionally solidified ingasb ternary alloys from Ga and Sb faces of GaSb(111) under prolonged microgravity at the international space station. npj Microgravity. 2016. 2. 16026-16026
  • Muthusamy Omprakash, Mukannan Arivanandhan, Tadanobu Koyama, Yoshimi Momose, Hiroya Ikeda, Hirokazu Tatsuoka, Dinesh K. Aswal, Shovit Bhattacharya, Yasunori Okano, Tetsuo Ozawa, et al. High power factor of Ga-doped compositionally homogeneous Si0.68Ge0.32 bulk crystal grown by the vertical temperature gradient freezing method. Crystal Growth and Design. 2015. 15. 3. 1380-1388
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MISC (139件)：
  • 早川泰弘, KUMAR V. Nirmal, RAJESH G., ARIVANANDHAN M., 小山忠信, 百瀬与志美, 阪田薫穂, 小澤哲夫, 岡野泰則, 稲富裕光. 微小重力環境下における混晶半導体バルク結晶成長. 日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(CD-ROM). 2018. 31st
  • Nirmal Kumar V., Arivanandhan M., Rajesh G., Koyama T., Sakata K., Momose Y., Ozawa T., Okano Y., Inatomi Y., Hayakawa Y. Gravity effect on the properties of In[x]Ga[l-x]Sb ternary alloys grown at the International Space Station : In[x]Ga[l-x]Sb growth at the International Space Station (シリコン材料・デバイス). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2016. 116. 50. 55-59
  • 早川 泰弘, 稲富 裕光, 岡野 泰則, 新船 幸二, Arivanandhan M., 小澤 哲夫, 木下 恭一, 荒井 康智, 塚田 隆夫, 久保 正樹, et al. バルク結晶成長機構研究チーム活動報告. 宇宙環境利用シンポジウム 第29回: 平成26年度 = Space Utilization Research, Vol. 29 2014: Proceedings of The Twenty-ninth Space Utilization Symposium. 2015. 29. 48-52
  • 早川 泰弘, 稲富 裕光, 阪田 薫穂, 石川 毅彦, 高柳 昌弘, 上垣内 茂樹, Arivanandhan M., Kumar V.Nirmal, Rajesh G., 小山 忠信, et al. 国際宇宙ステーション内の微小重力環境下における混晶半導体結晶成長. 宇宙環境利用シンポジウム 第29回: 平成26年度 = Space Utilization Research, Vol. 29 2014: Proceedings of The Twenty-ninth Space Utilization Symposium. 2015. 29. 44-47
  • 小林 哲夫, 吉江 弘正. クスリとペリオの意外な関係 : 医科の治療薬を理解してペリオにアプローチする(第1回)関節リウマチ治療薬服用患者への歯科的アプローチ. 日本歯科評論. 2015. 75. 1. 115-125
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特許 (1件)：
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