特許
J-GLOBAL ID:201003012391529323

III族窒化物結晶の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 長谷川 芳樹 ,  諏澤 勇司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-223767
公開番号(公開出願番号):特開2010-058990
出願日: 2008年09月01日
公開日(公表日): 2010年03月18日
要約:
【課題】窒素プラズマ合成法において、より大きな結晶粒度を有するIII族窒化物結晶、或いはバルク状のIII族窒化物結晶を生成できるIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】III族元素を含む融液7に対し窒素プラズマ及び水素プラズマを含む混合プラズマPを接触させることによってIII族窒化物結晶を生成する。この方法により、より大きな結晶粒度のIII族窒化物結晶、或いは肉眼にて視認可能な程度にまで成長したバルク状III族窒化物結晶を得ることができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
III族元素を含む融液に対し窒素プラズマ及び水素プラズマを含む混合プラズマを接触させることによってIII族窒化物結晶を生成することを特徴とする、III族窒化物結晶の製造方法。
IPC (3件):
C30B 29/38 ,  C30B 19/08 ,  C30B 30/00
FI (3件):
C30B29/38 D ,  C30B19/08 ,  C30B30/00
Fターム (11件):
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CG01 ,  4G077EG15 ,  4G077EJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA01 ,  4G077QA56 ,  4G077RA09
引用特許:
審査官引用 (3件)

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