研究者
J-GLOBAL ID：200901007608066910
更新日: 2022年09月15日
成田 克
ナリタ ユズル | Narita Yuzuru
所属機関・部署：
旧所属 長岡技術科学大学 工学研究科 材料工学専攻
旧所属 長岡技術科学大学 工学研究科 材料工学専攻 について
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職名：
大学院学生(博士課程)
研究分野 (2件)：
電気電子材料工学
, 薄膜、表面界面物性
研究キーワード (4件)：
半導体材料
, 半導体表面・界面
, Semiconductor Material
, Semiconductor surface and interface
競争的資金等の研究課題 (2件)：
走査プローブ顕微鏡及び反射高速電子線回折を用いた半導体初期成長過程の観察
Observation of initial growth processes of semiconductor using scarring probe microscopy and reflection high energy electron diffraction.
MISC (10件)：
Y Narita, T Inubushi, M Harashima, K Yasui, T Akahane. Initial stage of 3C-SiC growth on Si(001)-2 x 1 surface using monomethylsilane. APPLIED SURFACE SCIENCE. 2003. 216. 1-4. 575-579
Y Narita, T Inubushi, K Yasui, T Akahane. Si c(4 x 4) structure appeared in the initial stage of 3C-SiC epitaxial growth on Si(001) using monomethylsilane and dimethylsilane. APPLIED SURFACE SCIENCE. 2003. 212. 730-734
Y Narita, T Inubushi, K Yasui, T Akahane. Si c(4 x 4) structure appeared in the initial stage of 3C-SiC epitaxial growth on Si(001) using monomethylsilane and dimethylsilane. APPLIED SURFACE SCIENCE. 2003. 212. 730-734
Initial stage of 3C-SiC growth on Si(001)-2x1 surface using monomethylsilane. Applied Surface Science. 2003. 216 pp.575-579
In situ observation of reflection high-energy electron diffraction during the initial growth of SiC on Si using dimethylsilane. Journal of Crystal Growth. 2002. 237-239 pp.1254-1259
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学歴 (4件)：
- 2001 長岡技術科学大学 工学研究科 電子機器
- 2001 長岡技術科学大学
- 1999 長岡技術科学大学 工学部 電気・電子システム工学
- 1999 長岡技術科学大学
学位 (1件)：
修士(工学) (長岡技術科学大学)
所属学会 (2件)：
日本表面科学会
, 応用物理学会
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