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J-GLOBAL ID：200902215009063577   整理番号：03A0506074

モノメチルシランを用いたSi(001)-2×1表面上の3C-SiC成長の初期段階

Initial stage of 3C-SiC growth on Si(001)-2 × 1 surface using monomethylsilane

著者 (5件)： NARITA Y (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  INUBUSHI T (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  HARASHIMA M (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  YASUI K (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  AKAHANE T (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 216  号： 1/4  ページ： 575-579  発行年： 2003年06月30日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： モノメチルシラン(MMS)を用いてSi(001)-2×1表面...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (2件)： ジメチルシラン ,  メチルシラン

タイトルに関連する用語 (5件)： メチルシラン ,  Si ,  3C-SiC ,  成長 ,  初期段階