研究者
J-GLOBAL ID：200901011502598597
更新日: 2022年09月14日
井上 直久
イノウエ ナオヒサ | Inoue Naohisa
所属機関・部署：
大阪府立大学 産学官連携機構
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職名：
教授
研究分野 (4件)：
電子デバイス、電子機器
, 結晶工学
, 応用物性
, 半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (6件)：
半導体物性
, 量子効果デバイス
, 結晶成長
, Semiconductor
, Quantum Mechanical Effect Device
, Crystal Growth
競争的資金等の研究課題 (6件)：
半導体材料に関する研究
量子効果デバイスの製造プロセスに関する研究
分子線成長機構に関する研究
Study on Semiconductor Materials
Study on Fabrication Process of Quantum Mechanical Effect Devices
Study on Mechanism of Molecular Beam Epitaxy
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MISC (229件)：
夏目 新, 森本 恵造, 井上 直久. ツーフロー型有機金属気相成長法によるAl
2
O
3
(0001)基板上へのGaN直接成長(共著). 真空. 2000. 43. 9. 897-899
分子線成長InGaAs/GaAsSbタイプ(]G0002[)多重量子井戸層のフォトルミネッセンスのドーピング依存性(共著). 真空. 2000. 43. 104-107
シリコン成長における固液界面の温度勾配と熱バランス(共著). 真空. 2000. 42. 3. 349-352
Grown-in Defects in Czochralski Silicon. Recent Research Developments in Crystal Growth Reserch Transworld Research Network(trivandrum, India). 2000
Large Lateral Growth Rate in GaN Grown Directly on Al
2
O
3
(0001)Substrate by Two-Flow Metalorganic Vapor Phase Epitaxy(共著). Sept. 24-27, Nagoya. 2000
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書籍 (2件)：
「結晶成長ハンドブック-第7編3.3.3電子線、第8編4.2電子顕微鏡によるMBE成長表面観察」
結晶成長ハンドブック 共立出版 1995
In-situ Scanning Electron Microscopy of GaAs Molecular Beam Epitaxy
1995
Works (2件)：
成長表面・界面の動的挙動と原子スケールシミュレーション
1997 - 2000
シリコン中結晶欠陥の挙動解析に関する研究
2000 -
学歴 (4件)：
- 1973 東京大学 工学系研究科 応用物理学
- 1973 東京大学
- 1968 東京大学 工学部 物理工学
- 1968 東京大学
学位 (1件)：
工学博士
委員歴 (3件)：
1996 - 表面科学会 評議員,関西支部役員
1986 - 1994 日本結晶学会 編集委員
1980 - 1985 応用物理学会 関西支部評議員,薄網表面分科会幹事,結晶工学分科会幹事,シリコンテクノロジー
所属学会 (5件)：
日本結晶学会
, 表面科学会
, 日本物理学会
, 結晶成長学会
, 応用物理学会
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