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J-GLOBAL ID：200902101691894978   整理番号：00A0976581

ツーフロー型有機金属気相成長法によるAl₂O₃(0001)基板上へのGaN直接成長

Direct Growth of GaN on Al₂O₃(0001) by Two-Flow Metalorganic Vapor Phase Epitaxy.

著者 (3件)： 夏目新 (大阪府大 先端科研) ,  森本恵造 (大阪府大 先端科研) ,  井上直久 (大阪府大 先端科研)
資料名： 真空  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 43  号： 9  ページ： 897-899  発行年： 2000年09月20日 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 0559-8516  CODEN： SHINA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 標記気相エピタクシー法で平坦な表面をもつGaN膜を得る方法を...

シソーラス用語： *MOCVD ,...
準シソーラス用語： MOVPE

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (1件)：

• NAKAMURA, S. The Blue Laser Diode. 1997

タイトルに関連する用語 (4件)： 有機金属気相成長法 ,  Al2O3 ,  GaN ,  成長