研究者
J-GLOBAL ID：200901011712476001   更新日: 2024年12月18日

山本 暠勇

Yamamoto Akio
研究分野 (4件)： 電気電子材料工学 ,  薄膜、表面界面物性 ,  結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (4件)： Nitride Semiconductor,Epitaxy ,  窒化物半導体,エピタキシー ,  Solar Cell,Conversion Efficiency ,  太陽電池,光電変換効率
競争的資金等の研究課題 (9件)：
  • 2014 - 窒化インジウム系半導体のアンモニア分解触媒援用MOCVD法に関する研究
  • 2013 - 窒化インジウム系半導体のアンモニア分解触媒援用MOCVD法に関する研究
  • 2012 - 高温・高周波エレクトロニクスの基礎研究
  • 2011 - 高温・高周波エレクトロニクスの基礎研究
  • 2010 - InAlN系多接合タンデム太陽電池の研究
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論文 (77件)：
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MISC (287件)：
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書籍 (1件)：
  • 太陽電池の基礎と応用
    培風館 2010 ISBN:9784563067809
講演・口頭発表等 (269件)：
  • MOVPE GROWTH OF THICK (~1 μm) InGaN ON AlN/Si SUBSTRATES FOR InGaN/Si TANDEM SOLAR CELL
    (6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6) 2014)
  • MOVPE GROWTH OF THICK (~1 μm) InGaN ON AlN/Si SUBSTRATES FOR InGaN/Si TANDEM SOLAR CELL
    (6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6) 2014)
  • RTA of MOVPE-grown Mg-doped InxGa1-xN (x~0.3) for Mg activation
    (第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014)
  • p-type InxGa1-xN (x~0.3) grown by MOVPE at a low temperature (~570oC)
    (2014 International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014) 2014)
  • Growth temperature dependent critical thickness for phase separation in thick (~1 um) InxGa1-xN (x = 0.2~0.4)
    (2014 Interntional Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2014) 2014)
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Works (20件)：
  • 窒化インジウム系半導体のアンモニア分解触媒援用MOCVD法に関する研究, 基盤研究(C)(一般)
    2014 -
  • 高温・高周波エレクトロニクスの基礎研究, 基盤研究(C)(一般)
    2012 -
  • InAlN系多接合タンデム太陽電池の研究, 特定領域研究(継続領域)
    2010 -
  • 応用物理学会 北陸・信越支部役員会
    2010 -
  • 固相C60及びグラフェンを用いた炭素系デバイスの基礎研究, 基盤研究(B)(一般)
    2009 -
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学歴 (1件)：
  • - 1969 福井大学 電気工学
学位 (1件)：
  • 工学博士 (大阪大学)
経歴 (2件)：
  • 1988/04 - 1991/03 福井大学 助教授
  • 1969/04 - 1988/03 1969-1988 NTT光エレクトロニクス研究所 主幹研究員(退職時)
所属学会 (5件)：
応用物理学会 ,  電気化学会 ,  電気学会 ,  電子情報通信学会 ,  日本結晶成長学会
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