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J-GLOBAL ID:201402207830996295   整理番号:14A0552084

AlN/Si (111)上に成長させた厚さ(~1μm)InxGa1-xN(x ~ 0.3)の相分離 金属的In-GaとGaNリッチなInGaNの同時出現

Phase separation of thick (~1μm) InxGa1-xN (x~0.3) grown on AlN/Si(111): Simultaneous emergence of metallic In-Ga and GaN-rich InGaN
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巻:号:ページ: 035502.1-035502.4  発行年: 2014年03月 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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金属有機気相成長によってAlN/Si (111)基板上に厚さ0.3~2μmのIn<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N(x ~ 0.3)薄膜を650°Cで成長させた。エピタキシャルInGaN薄膜の厚みが~1μmを上回ると,X線回折プロフィールでGaNリッチなInGaN(0002)と金属的なIn(101)のピークが現れる。GaNリッチ InGaN薄膜のInN組成~0.03は650<°CでのGaNにおけるInNの可溶性と一致している。金属的Inは,少量のGa(~0.03 at. %)を含む。これらの成績は,エピタキシャルInGaN薄膜がGaNリッチとInNリッチInGaNに相分離することを明らかに示した。後者は,650°Cでの熱不安定性のために金属的 In-Gaに変えられる。(翻訳著者抄録)
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固体デバイス材料 
引用文献 (21件):
  • S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, J. Appl. Phys. 76, 8189 (1994).
  • S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1332 (1995).
  • A. G. Bhuiyan, K. Sugita, A. Hashimoto, and A. Yamamoto, IEEE J. Photovoltaics 2, 276 (2012).
  • I. Ho and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 69, 2701 (1996).
  • T. Sugahara, M. Hao, T. Wang, D. Nakagawa, Y. Naoi, K. Nishino, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L1195 (1998).
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