文献

J-GLOBAL ID：201402207830996295   整理番号：14A0552084

AlN/Si (111)上に成長させた厚さ(~1μm)In_xGa_1-xN(x ~ 0.3)の相分離 金属的In-GaとGaNリッチなInGaNの同時出現

Phase separation of thick (~1μm) In_xGa_1-xN (x~0.3) grown on AlN/Si(111): Simultaneous emergence of metallic In-Ga and GaN-rich InGaN

著者 (9件)： YAMAMOTO Akio (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  YAMAMOTO Akio (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  HASAN Tanvir (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  HASAN Tanvir (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  MIHARA Akihiro (Univ. Fukui, Fukui, JPN) ,  MIHARA Akihiro (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  NARITA Norihiko (Kansai Electric Power Co., Inc., Hyogo, JPN) ,  SHIGEKAWA Naoteru (Osaka City Univ., Osaka, JPN) ,  KUZUHARA Masaki (Univ. Fukui, Fukui, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 7  号： 3  ページ： 035502.1-035502.4  発行年： 2014年03月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属有機気相成長によってAlN/Si (111)基板上に厚さ0.3~2μmのIn_xGa_1-xN(x ~ 0.3)薄膜を650°Cで成長させた。エピタキシャルInGaN薄膜の厚みが~1μmを上回ると,X線回折プロフィールでGaNリッチなInGaN(0002)と金属的なIn(101)のピークが現れる。GaNリッチ InGaN薄膜のInN組成~0.03は650<°CでのGaNにおけるInNの可溶性と一致している。金属的Inは,少量のGa(~0.03 at. %)を含む。これらの成績は,エピタキシャルInGaN薄膜がGaNリッチとInNリッチInGaNに相分離することを明らかに示した。後者は,650°Cでの熱不安定性のために金属的 In-Gaに変えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  ケイ素 ,  *窒化ガリウム ,  窒化インジウム ,  エピタクシー ,  MOCVD ,  熱安定性
準シソーラス用語： MOVPE

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (21件)：

• S. Nakamura, T. Mukai, and M. Senoh, J. Appl. Phys. 76, 8189 (1994).
• S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada, and T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1332 (1995).
• A. G. Bhuiyan, K. Sugita, A. Hashimoto, and A. Yamamoto, IEEE J. Photovoltaics 2, 276 (2012).
• I. Ho and G. B. Stringfellow, Appl. Phys. Lett. 69, 2701 (1996).
• T. Sugahara, M. Hao, T. Wang, D. Nakagawa, Y. Naoi, K. Nishino, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys. 37, L1195 (1998).

タイトルに関連する用語 (8件)： AlN ,  Si ,  成長 ,  厚さ ,  相分離 ,  Ga ,  GaN ,  InGaN