研究者
J-GLOBAL ID：200901015618484233
更新日: 2020年06月06日
王 学論
オウ ガクロン | Wang Xue-Lun
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所属機関・部署：
独立行政法人産業技術総合研究所 ナノシステム研究部門 ナノ構造アクティブデバイスグループ
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ホームページURL (1件)：
http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=X63586302
研究分野 (5件)：
薄膜、表面界面物性
, 結晶工学
, 応用物性
, ナノバイオサイエンス
, ナノ材料科学
研究キーワード (1件)：
薄膜形成・エピ成長 発光素子
競争的資金等の研究課題 (1件)：
流量変調法によるAlGaAs/GaAs量子細線の作製、評価
MISC (37件)：
Xue-Lun Wang. Semiconductor light-emitting diodes with separated current-injection and light-emitting areas. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS. 2006. 45. 33-36. L874-L877
Xue-Lun Wang, Valia Voliotis. Epitaxial growth and optical properties of semiconductor quantum wires. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2006. 99. 12. 121301-1-121301-38
XL Wang, M Ogura, T Guillet, Voliotis, V, R Grousson. Strong Fermi-edge singularity in ultra-high-quality AlGaAs/GaAs quantum wires. PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES. 2006. 32. 1-2. 329-332
A Feltrin, F Michelini, JL Staehli, B Deveaud, Savona, V, J Toquant, XL Wang, M Ogura. Localization-dependent photoluminescence spectrum of biexcitons in semiconductor quantum wires. PHYSICAL REVIEW LETTERS. 2005. 95. 17
V溝量子細線の光・電子素子への応用. 応用物理. 2005. 74. 3. 327-332
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所属学会 (1件)：
応用物理学会
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