研究者
J-GLOBAL ID:200901020415152700   更新日: 2020年07月14日

長汐 晃輔

ナガシオ コウスケ | Nagashio Kosuke
所属機関・部署:
職名: 教授
ホームページURL (2件): http://webpark1753.sakura.ne.jp/nagashio_lab/http://webpark1753.sakura.ne.jp/nagashio_lab_E/
研究分野 (5件): 電気電子材料工学 ,  金属生産、資源生産 ,  無機材料、物性 ,  ナノマイクロシステム ,  ナノ材料科学
研究キーワード (5件): 電子輸送特性 ,  ナノカーボン ,  凝固・結晶成長 ,  原子層 ,  2次元系デバイス
競争的資金等の研究課題 (20件):
  • 2019 - 2022 2Dヘテロ界面特性の理解に基づく2DトンネルFETの構築
  • 2018 - 2022 グラフェンのテーラーメイド合成とその展開
  • 2019 - 2021 ナノ発電素子実現のための革新的層状圧電材料の特性実証
  • 2016 - 2019 2次元原子層チャネルにユニバーサルなゲートスタック技術の構築
  • 2015 - 2019 原子層物質の国際的提供と共同研究の推進
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論文 (29件):
  • Nagamura Naoka, Fukidome Hirokazu, Nagashio Kosuke, Horiba Koji, Ide Takayuki, Funakubo Kazutoshi, Tashima Keiichiro, Toriumi Akira, Suemitsu Maki, Horn Karsten, Oshima Masaharu. Influence of interface dipole layers on the performance of graphene field effect transistors. CARBON. 2019. 152. 680-687
  • Fang Nan, Toyoda Satoshi, Taniguchi Takashi, Watanabe Kenji, Nagashio Kosuke. Full Energy Spectra of Interface State Densities for n- and p-type MoS2 Field-Effect Transistors. ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS. 2019. 29. 49
  • Asakura Eito, Suzuki Masaki, Karube Shutaro, Nitta Junsaku, Nagashio Kosuke, Kohda Makoto. Detection of both optical polarization and coherence transfers to excitonic valley states in CVD-grown monolayer MoS2. APPLIED PHYSICS EXPRESS. 2019. 12. 6
  • Toyoda Satoshi, Uwanno Teerayut, Taniguchi Takashi, Watanabe Kenji, Nagashio Kosuke. Pinpoint pick-up and bubble-free assembly of 2D materials using PDMS/PMMA polymers with lens shapes. APPLIED PHYSICS EXPRESS. 2019. 12. 5
  • Matsuoka Ryota, Toyoda Ryojun, Shiotsuki Ryo, Fukui Naoya, Wada Keisuke, Maeda Hiroaki, Sakamoto Ryota, Sasaki Sono, Masunaga Hiroyasu, Nagashio Kosuke, Nishihara Hiroshi. Expansion of the Graphdiyne Family: A Triphenylene-Cored Analogue. ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES. 2019. 11. 3. 2730-2733
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MISC (50件):
  • 長汐 晃輔. 2次元層状ヘテロFETにおける界面特性制御. 応用物理. 2020. 89. 3. 139-146
  • 長汐 晃輔. 2次元原子膜応用のためのゲートスタック形成. 表面科学学術講演会要旨集. 2017. 37. 0. 54-54
  • 李 秀妍, 矢嶋 赳彬, 西村 知紀, 長汐 晃輔, 鳥海 明. Analytical formulation of interfacial SiO2 scavenging in HfO2/SiO2/Si stacks (シリコン材料・デバイス) -- (先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2015. 114. 421. 1-4
  • 森 雄太郎, 南谷 英美, 安藤 康伸, 笠松 秀輔, 金山 薫, 長汐 晃介, 渡邉 聡. 第一原理計算による二層グラフェンデバイスのキャパシタンスの解析. 表面科学学術講演会要旨集. 2015. 35. 0
  • 森 雄太郎, 南谷 英美, 安藤 康伸, 笠松 秀輔, 金山 薫, 長汐 晃輔, 渡邉 聡. 21pPSB-54 理論計算による二層グラフェンデバイスのキャパシタンス解析. 日本物理学会講演概要集. 2015. 70. 0. 2580-2580
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書籍 (2件):
  • グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用 : 世界の動向、CVD合成、転写積層、量子物性、センサ・デバイス、THz応用
    エヌ・ティー・エス 2020 ISBN:9784860436636
  • グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用 : 世界の動向、CVD合成、転写積層、量子物性、センサ・デバイス、THz応用
    エヌ・ティー・エス 2020 ISBN:9784860436636
講演・口頭発表等 (109件):
  • “Understanding interface properties in 2D heterostructure FETs”,
    (MRS spring meeting 2020, (April, 13-17, Phenix, AZ, USA). 2020)
  • “Room temperature ferroelectricity in monolayer SnS”,
    (“Room temperature ferroelectricity in monolayer SnS”, 4th International Workshop on 2D Materials 2020, (Feb., 26-28, Yonsei University, Seoul, Korea). 2020)
  • ”Photoresponse in h-BN encapsulated bilayer graphene field-effect phototransistor”
    (Materials Research Meeting 2019 2019)
  • ”Direct observation of electron capture & emission processes by the time domain charge pumping measurement of MoS2 FET”
    (Materials Research Meeting 2019 2019)
  • Ferroelectricity in monolayer SnS
    (JSPS/EPSRC C2C meeting 2019)
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学歴 (3件):
  • 1999 - 2002 東京大学 大学院工学系研究科博士課程 材料学専攻
  • 1997 - 1999 東京大学 大学院工学系研究科修士課程 材料学専攻
  • 1993 - 1997 京都大学 工学部 金属加工学科
経歴 (6件):
  • 2020/06 - 現在 東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻 教授
  • 2011/04 - 2020/05 東京大学大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 准教授
  • 2007/09 - 2011/03 東京大学大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 講師
  • 2003/10 - 2007/08 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構 助手
  • 2002/04 - 2003/09 学振海外特別研究員 Stanford University
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所属学会 (5件):
フラーレンナノチューブグラフェン学会 ,  IEEE EDS ,  MRS ,  応用物理学会 ,  日本金属学会
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