長汐晃輔

ナガシオコウスケ | Nagashio Kosuke

所属機関・部署：
職名：教授
ホームページURL (2件)： http://webpark1753.sakura.ne.jp/nagashio_lab/ , http://webpark1753.sakura.ne.jp/nagashio_lab_E/

研究分野 (5件)：電気電子材料工学 , 金属生産、資源生産 , 無機材料、物性 , ナノマイクロシステム , ナノ材料科学

研究キーワード (6件)：電子輸送特性 , ナノカーボン , 凝固・結晶成長 , 原子層 , crystal growth , 2次元系デバイス

競争的資金等の研究課題 (22件)：

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論文 (192件)：

Yuichiro Sato, Tomonori Nishimura, Dong Duanfei, Keiji Ueno, Keisuke Shinokita, Kazunari Matsuda, Kosuke Nagashio. Intrinsic Electronic Transport Properties and Carrier Densities in PtS 2 and SnSe 2 : Exploration of n + -Source for 2D Tunnel FETs. Advanced Electronic Materials. 2021. 2100292-2100292
Naoki Higashitarumizu, Hayami Kawamoto, Chien-Ju Lee, Bo-Han Lin, Fu-Hsien Chu, Itsuki Yonemori, Tomonori Nishimura, Katsunori Wakabayashi, Wen-Hao Chang, Kosuke Nagashio. Purely in-plane ferroelectricity in monolayer SnS at room temperature. Nature Communications. 2020. 11. 1
Keigo Nakamura, Naoka Nagamura, Keiji Ueno, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Kosuke Nagashio. All 2D Heterostructure Tunnel Field-Effect Transistors: Impact of Band Alignment and Heterointerface Quality. ACS Applied Materials & Interfaces. 2020. 12. 46. 51598-51606
Mina Maruyama, Kosuke Nagashio, Susumu Okada. Carrier Distribution Control in van der Waals Heterostructures of MoS2 and WS2 by Field-Induced Band-Edge Engineering. Physical Review Applied. 2020. 14. 4
Nan Fang, Keigo Otsuka, Akihiro Ishii, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Kosuke Nagashio, Yuichiro K. Kato. Hexagonal boron nitride as an ideal substrate for carbon nanotube photonics. ACS Photonics. 2020

MISC (73件)：

長汐晃輔. 2次元層状ヘテロFETにおける界面特性制御. 応用物理. 2020. 89. 3. 139-146
長汐晃輔. 2次元原子膜応用のためのゲートスタック形成. 表面科学学術講演会要旨集. 2017. 37. 0. 54-54
李秀妍, 矢嶋赳彬, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明. Analytical formulation of interfacial SiO2 scavenging in HfO2/SiO2/Si stacks (シリコン材料・デバイス) -- (先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集)). 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報. 2015. 114. 421. 1-4
森雄太郎, 南谷英美, 安藤康伸, 笠松秀輔, 金山薫, 長汐晃介, 渡邉聡. 第一原理計算による二層グラフェンデバイスのキャパシタンスの解析. 表面科学学術講演会要旨集. 2015. 35. 0
森雄太郎, 南谷英美, 安藤康伸, 笠松秀輔, 金山薫, 長汐晃輔, 渡邉聡. 21pPSB-54 理論計算による二層グラフェンデバイスのキャパシタンス解析. 日本物理学会講演概要集. 2015. 70. 0. 2580-2580

書籍 (2件)：

グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用 : 世界の動向、CVD合成、転写積層、量子物性、センサ・デバイス、THz応用
エヌ・ティー・エス 2020 ISBN:9784860436636
グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用 : 世界の動向、CVD合成、転写積層、量子物性、センサ・デバイス、THz応用
エヌ・ティー・エス 2020 ISBN:9784860436636

講演・口頭発表等 (109件)：

“Understanding interface properties in 2D heterostructure FETs”,
(MRS spring meeting 2020, (April, 13-17, Phenix, AZ, USA). 2020)
“Room temperature ferroelectricity in monolayer SnS”,
(“Room temperature ferroelectricity in monolayer SnS”, 4th International Workshop on 2D Materials 2020, (Feb., 26-28, Yonsei University, Seoul, Korea). 2020)
”Photoresponse in h-BN encapsulated bilayer graphene field-effect phototransistor”
(Materials Research Meeting 2019 2019)
”Direct observation of electron capture & emission processes by the time domain charge pumping measurement of MoS2 FET”
(Materials Research Meeting 2019 2019)
Ferroelectricity in monolayer SnS
(JSPS/EPSRC C2C meeting 2019)

学歴 (3件)：

学位 (1件)：

経歴 (6件)：

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所属学会 (5件)：

フラーレンナノチューブグラフェン学会 , IEEE EDS , MRS , 応用物理学会 , 日本金属学会

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

長汐 晃輔