研究者
J-GLOBAL ID:200901020415152700   更新日: 2024年02月01日

長汐 晃輔

ナガシオ コウスケ | Nagashio Kosuke
所属機関・部署:
職名: 教授
ホームページURL (2件): http://webpark1753.sakura.ne.jp/nagashio_lab/http://webpark1753.sakura.ne.jp/nagashio_lab_E/
研究分野 (5件): 電気電子材料工学 ,  金属生産、資源生産 ,  無機材料、物性 ,  ナノマイクロシステム ,  ナノ材料科学
研究キーワード (6件): 電子輸送特性 ,  ナノカーボン ,  凝固・結晶成長 ,  原子層 ,  crystal growth ,  2次元系デバイス
競争的資金等の研究課題 (26件):
  • 2022 - 2027 超低消費電力システム構築のための2次元トンネルFETの集積化
  • 2021 - 2026 2.5次元構造体の電子・光・エネルギー応用への展開
  • 2021 - 2026 2.5次元物質科学の総括
  • 2022 - 2025 集積化可能な2次元トンネルFET構造の提案とその超低消費電力動作の実証
  • 2019 - 2022 2Dヘテロ界面特性の理解に基づく2DトンネルFETの構築
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論文 (204件):
  • Yih-Ren Chang, Ryo Nanae, Satsuki Kitamura, Tomonori Nishimura, Haonan Wang, Yubei Xiang, Keisuke Shinokita, Kazunari Matsuda, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, et al. Shift Current Photovoltaics based on A Noncentrosymmetric Phase in in-plane Ferroelectric SnS. Advanced Materials. 2023
  • Hiroto Ogura, Seiya Kawasaki, Zheng Liu, Takahiko Endo, Mina Maruyama, Yanlin Gao, Yusuke Nakanishi, Hong En Lim, Kazuhiro Yanagi, Toshifumi Irisawa, et al. Multilayer In-Plane Heterostructures Based on Transition Metal Dichalcogenides for Advanced Electronics. ACS Nano. 2023
  • Wataru Nishiyama, Tomonori Nishimura, Masao Nishioka, Keiji Ueno, Satoshi Iwamoto, Kosuke Nagashio. Is the Bandgap of Bulk PdSe 2 Located Truly in the Far-Infrared Region? Determination by Fourier-Transform Photocurrent Spectroscopy. Advanced Photonics Research. 2022. 3. 11. 2200231-2200231
  • Nan Fang, Daiki Yamashita, Shun Fujii, Keigo Otsuka, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Kosuke Nagashio, Yuichiro K. Kato. Quantization of Mode Shifts in Nanocavities Integrated with Atomically Thin Sheets. Advanced Optical Materials. 2022
  • Hiroki Ago, Susumu Okada, Yasumitsu Miyata, Kazunari Matsuda, Mikito Koshino, Kosei Ueno, Kosuke Nagashio. Science of 2.5 dimensional materials: paradigm shift of materials science toward future social innovation. Science and Technology of Advanced Materials. 2022
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MISC (83件):
  • 米盛樹生, DUTTA Sudipta, 長汐晃輔, 若林克法. SnS結晶の電子状態とラマン活性モードの構造依存性. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2020. 81st
  • 永村直佳, 永村直佳, 吹留博一, 長汐晃輔, 尾嶋正治. オペランドX線顕微分光によるグラフェントランジスタの界面電荷分析. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2020. 81st
  • 長汐 晃輔. 2次元層状ヘテロFETにおける界面特性制御. 応用物理. 2020. 89. 3. 139-146
  • 川元颯巳, 東垂水直樹, 中村優, 若林克法, 長汐晃輔. 出発材料比較による高品質SnS薄膜の作製. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2019. 66th
  • 長汐 晃輔. 2次元原子膜応用のためのゲートスタック形成. 表面科学学術講演会要旨集. 2017. 37. 0. 54-54
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書籍 (2件):
  • グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用 : 世界の動向、CVD合成、転写積層、量子物性、センサ・デバイス、THz応用
    エヌ・ティー・エス 2020 ISBN:9784860436636
  • グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用 : 世界の動向、CVD合成、転写積層、量子物性、センサ・デバイス、THz応用
    エヌ・ティー・エス 2020 ISBN:9784860436636
講演・口頭発表等 (109件):
  • “Understanding interface properties in 2D heterostructure FETs”,
    (MRS spring meeting 2020, (April, 13-17, Phenix, AZ, USA). 2020)
  • “Room temperature ferroelectricity in monolayer SnS”,
    (“Room temperature ferroelectricity in monolayer SnS”, 4th International Workshop on 2D Materials 2020, (Feb., 26-28, Yonsei University, Seoul, Korea). 2020)
  • ”Photoresponse in h-BN encapsulated bilayer graphene field-effect phototransistor”
    (Materials Research Meeting 2019 2019)
  • ”Direct observation of electron capture & emission processes by the time domain charge pumping measurement of MoS2 FET”
    (Materials Research Meeting 2019 2019)
  • Ferroelectricity in monolayer SnS
    (JSPS/EPSRC C2C meeting 2019)
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学歴 (3件):
  • 1999 - 2002 東京大学 大学院工学系研究科博士課程 材料学専攻
  • 1997 - 1999 東京大学 大学院工学系研究科修士課程 材料学専攻
  • 1993 - 1997 京都大学 工学部 金属加工学科
学位 (1件):
  • Ph.D (The University of Tokyo)
経歴 (6件):
  • 2020/06 - 現在 東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻 教授
  • 2011/04 - 2020/05 東京大学大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 准教授
  • 2007/09 - 2011/03 東京大学大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 講師
  • 2003/10 - 2007/08 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構 宇宙環境利用科学研究系 助手
  • 2002/04 - 2003/09 学振海外特別研究員 Stanford University
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所属学会 (5件):
フラーレンナノチューブグラフェン学会 ,  IEEE EDS ,  MRS ,  応用物理学会 ,  日本金属学会
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