研究者
J-GLOBAL ID：200901020415152700   更新日: 2025年04月11日

長汐 晃輔

ナガシオ コウスケ | Nagashio Kosuke
所属機関・部署：
東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻

東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 について


職名： 教授
ホームページURL (2件)： http://webpark1753.sakura.ne.jp/nagashio_lab/ ,  http://webpark1753.sakura.ne.jp/nagashio_lab_E/
研究分野 (5件)： 電気電子材料工学 ,  金属生産、資源生産 ,  無機材料、物性 ,  ナノマイクロシステム ,  ナノ材料科学
研究キーワード (6件)： 電子輸送特性 ,  ナノカーボン ,  凝固・結晶成長 ,  原子層 ,  crystal growth ,  2次元系デバイス
競争的資金等の研究課題 (27件)：
  • 2022 - 2027 超低消費電力システム構築のための2次元トンネルFETの集積化
  • 2021 - 2026 2.5次元構造体の電子・光・エネルギー応用への展開
  • 2021 - 2026 2.5次元物質科学の総括
  • 2022 - 2026 2D材料CMOS・デバイス集積化技術の開発
  • 2022 - 2025 集積化可能な2次元トンネルFET構造の提案とその超低消費電力動作の実証
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論文 (218件)：
  • Kaito Kanahashi, Itsuki Tanaka, Tomonori Nishimura, Kohei Aso, Anh Khoa Augustin Lu, Satoru Morito, Limi Chen, Takafumi Kakeya, Satoshi Watanabe, Yoshifumi Oshima, et al. Dimensionality-Induced Transition from Degenerate to Nondegenerate States in Nb-Doped WSe2. ACS Nano. 2025
  • Ryo Nanae, Satsuki Kitamura, Yih-Ren Chang, Kaito Kanahashi, Tomonori Nishimura, Redhwan Moqbel, Kung-Hsuan Lin, Mina Maruyama, Yanlin Gao, Susumu Okada, et al. Bulk Photovoltaic Effect in Single Ferroelectric Domain of SnS Crystal and Control of Local Polarization by Strain. ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS. 2024. 34. 41
  • Shota Toida, Shota Yamaguchi, Takahiko Endo, Yusuke Nakanishi, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Kosuke Nagashio, Yasumitsu Miyata. Transport properties of multilayer NbxMo1-xS2/MoS2 in-plane heterostructure tunnel FETs on hexagonal boron nitride substrate. Applied Physics Letters. 2024
  • Tomohiro Fukui, Tomonori Nishimura, Yasumitsu Miyata, Keiji Ueno, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Kosuke Nagashio. Single-Gate MoS<sub>2</sub> Tunnel FET with a Thickness-Modulated Homojunction. ACS Applied Materials & Interfaces. 2024. 16. 7. 8993-9001
  • N. Fang, Y. R. Chang, D. Yamashita, S. Fujii, M. Maruyama, Y. Gao, C. F. Fong, K. Otsuka, K. Nagashio, S. Okada, et al. Resonant exciton transfer in mixed-dimensional heterostructures for overcoming dimensional restrictions in optical processes. Nature Communications. 2023. 14. 1
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MISC (84件)：
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書籍 (2件)：
  • グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用 : 世界の動向、CVD合成、転写積層、量子物性、センサ・デバイス、THz応用
    エヌ・ティー・エス 2020 ISBN:9784860436636
  • グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用 : 世界の動向、CVD合成、転写積層、量子物性、センサ・デバイス、THz応用
    エヌ・ティー・エス 2020 ISBN:9784860436636
講演・口頭発表等 (109件)：
  • “Understanding interface properties in 2D heterostructure FETs”,
    (MRS spring meeting 2020, (April, 13-17, Phenix, AZ, USA). 2020)
  • “Room temperature ferroelectricity in monolayer SnS”,
    (“Room temperature ferroelectricity in monolayer SnS”, 4th International Workshop on 2D Materials 2020, (Feb., 26-28, Yonsei University, Seoul, Korea). 2020)
  • ”Photoresponse in h-BN encapsulated bilayer graphene field-effect phototransistor”
    (Materials Research Meeting 2019 2019)
  • ”Direct observation of electron capture & emission processes by the time domain charge pumping measurement of MoS2 FET”
    (Materials Research Meeting 2019 2019)
  • Ferroelectricity in monolayer SnS
    (JSPS/EPSRC C2C meeting 2019)
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学歴 (3件)：
  • 1999 - 2002 東京大学 大学院工学系研究科博士課程 材料学専攻
  • 1997 - 1999 東京大学 大学院工学系研究科修士課程 材料学専攻
  • 1993 - 1997 京都大学 工学部 金属加工学科
学位 (1件)：
  • Ph.D (The University of Tokyo)
経歴 (6件)：
  • 2020/06 - 現在 東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻 教授
  • 2011/04 - 2020/05 東京大学大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 准教授
  • 2007/09 - 2011/03 東京大学大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 講師
  • 2003/10 - 2007/08 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構 宇宙環境利用科学研究系 助手
  • 2002/04 - 2003/09 学振海外特別研究員 Stanford University
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所属学会 (5件)：
フラーレンナノチューブグラフェン学会 ,  IEEE EDS ,  MRS ,  応用物理学会 ,  日本金属学会
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