研究者
J-GLOBAL ID:200901020415152700   更新日: 2021年10月26日

長汐 晃輔

ナガシオ コウスケ | Nagashio Kosuke
所属機関・部署:
職名: 教授
ホームページURL (2件): http://webpark1753.sakura.ne.jp/nagashio_lab/http://webpark1753.sakura.ne.jp/nagashio_lab_E/
研究分野 (5件): 電気電子材料工学 ,  金属生産、資源生産 ,  無機材料、物性 ,  ナノマイクロシステム ,  ナノ材料科学
研究キーワード (6件): 電子輸送特性 ,  ナノカーボン ,  凝固・結晶成長 ,  原子層 ,  crystal growth ,  2次元系デバイス
競争的資金等の研究課題 (22件):
  • 2019 - 2022 2Dヘテロ界面特性の理解に基づく2DトンネルFETの構築
  • 2018 - 2022 グラフェンのテーラーメイド合成とその展開
  • 2019 - 2021 ナノ発電素子実現のための革新的層状圧電材料の特性実証
  • 2016 - 2019 2次元原子層チャネルにユニバーサルなゲートスタック技術の構築
  • 2015 - 2019 原子層物質の国際的提供と共同研究の推進
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論文 (192件):
  • Yuichiro Sato, Tomonori Nishimura, Dong Duanfei, Keiji Ueno, Keisuke Shinokita, Kazunari Matsuda, Kosuke Nagashio. Intrinsic Electronic Transport Properties and Carrier Densities in PtS 2 and SnSe 2 : Exploration of n + -Source for 2D Tunnel FETs. Advanced Electronic Materials. 2021. 2100292-2100292
  • Naoki Higashitarumizu, Hayami Kawamoto, Chien-Ju Lee, Bo-Han Lin, Fu-Hsien Chu, Itsuki Yonemori, Tomonori Nishimura, Katsunori Wakabayashi, Wen-Hao Chang, Kosuke Nagashio. Purely in-plane ferroelectricity in monolayer SnS at room temperature. Nature Communications. 2020. 11. 1
  • Keigo Nakamura, Naoka Nagamura, Keiji Ueno, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Kosuke Nagashio. All 2D Heterostructure Tunnel Field-Effect Transistors: Impact of Band Alignment and Heterointerface Quality. ACS Applied Materials & Interfaces. 2020. 12. 46. 51598-51606
  • Mina Maruyama, Kosuke Nagashio, Susumu Okada. Carrier Distribution Control in van der Waals Heterostructures of MoS2 and WS2 by Field-Induced Band-Edge Engineering. Physical Review Applied. 2020. 14. 4
  • Nan Fang, Keigo Otsuka, Akihiro Ishii, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Kosuke Nagashio, Yuichiro K. Kato. Hexagonal boron nitride as an ideal substrate for carbon nanotube photonics. ACS Photonics. 2020
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MISC (73件):
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書籍 (2件):
  • グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用 : 世界の動向、CVD合成、転写積層、量子物性、センサ・デバイス、THz応用
    エヌ・ティー・エス 2020 ISBN:9784860436636
  • グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用 : 世界の動向、CVD合成、転写積層、量子物性、センサ・デバイス、THz応用
    エヌ・ティー・エス 2020 ISBN:9784860436636
講演・口頭発表等 (109件):
  • “Understanding interface properties in 2D heterostructure FETs”,
    (MRS spring meeting 2020, (April, 13-17, Phenix, AZ, USA). 2020)
  • “Room temperature ferroelectricity in monolayer SnS”,
    (“Room temperature ferroelectricity in monolayer SnS”, 4th International Workshop on 2D Materials 2020, (Feb., 26-28, Yonsei University, Seoul, Korea). 2020)
  • ”Photoresponse in h-BN encapsulated bilayer graphene field-effect phototransistor”
    (Materials Research Meeting 2019 2019)
  • ”Direct observation of electron capture & emission processes by the time domain charge pumping measurement of MoS2 FET”
    (Materials Research Meeting 2019 2019)
  • Ferroelectricity in monolayer SnS
    (JSPS/EPSRC C2C meeting 2019)
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学歴 (3件):
  • 1999 - 2002 東京大学 材料学専攻
  • 1997 - 1999 東京大学 材料学専攻
  • 1993 - 1997 京都大学 金属加工学科
学位 (1件):
  • Ph.D (The University of Tokyo)
経歴 (6件):
  • 2020/06 - 現在 東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻 教授
  • 2011/04 - 2020/05 東京大学大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 准教授
  • 2007/09 - 2011/03 東京大学大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 講師
  • 2003/10 - 2007/08 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構 宇宙環境利用科学研究系 助手
  • 2002/04 - 2003/09 学振海外特別研究員 Stanford University
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所属学会 (5件):
フラーレンナノチューブグラフェン学会 ,  IEEE EDS ,  MRS ,  応用物理学会 ,  日本金属学会
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