研究者
J-GLOBAL ID：200901020415152700   更新日: 2024年09月27日

長汐 晃輔

ナガシオ コウスケ | Nagashio Kosuke
所属機関・部署：
東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻

東京大学 大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 について


職名： 教授
ホームページURL (2件)： http://webpark1753.sakura.ne.jp/nagashio_lab/ ,  http://webpark1753.sakura.ne.jp/nagashio_lab_E/
研究分野 (5件)： 電気電子材料工学 ,  金属生産、資源生産 ,  無機材料、物性 ,  ナノマイクロシステム ,  ナノ材料科学
研究キーワード (6件)： 電子輸送特性 ,  ナノカーボン ,  凝固・結晶成長 ,  原子層 ,  crystal growth ,  2次元系デバイス
競争的資金等の研究課題 (27件)：
  • 2022 - 2027 超低消費電力システム構築のための2次元トンネルFETの集積化
  • 2021 - 2026 2.5次元構造体の電子・光・エネルギー応用への展開
  • 2021 - 2026 2.5次元物質科学の総括
  • 2022 - 2026 2D材料CMOS・デバイス集積化技術の開発
  • 2022 - 2025 集積化可能な2次元トンネルFET構造の提案とその超低消費電力動作の実証
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論文 (215件)：
  • Shota Toida, Shota Yamaguchi, Takahiko Endo, Yusuke Nakanishi, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Kosuke Nagashio, Yasumitsu Miyata. Transport properties of multilayer NbxMo1-xS2/MoS2 in-plane heterostructure tunnel FETs on hexagonal boron nitride substrate. Applied Physics Letters. 2024
  • Tomohiro Fukui, Tomonori Nishimura, Yasumitsu Miyata, Keiji Ueno, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Kosuke Nagashio. Single-Gate MoS<sub>2</sub> Tunnel FET with a Thickness-Modulated Homojunction. ACS Applied Materials & Interfaces. 2024. 16. 7. 8993-9001
  • N. Fang, Y. R. Chang, D. Yamashita, S. Fujii, M. Maruyama, Y. Gao, C. F. Fong, K. Otsuka, K. Nagashio, S. Okada, et al. Resonant exciton transfer in mixed-dimensional heterostructures for overcoming dimensional restrictions in optical processes. Nature Communications. 2023. 14. 1
  • Yih-Ren Chang, Ryo Nanae, Satsuki Kitamura, Tomonori Nishimura, Haonan Wang, Yubei Xiang, Keisuke Shinokita, Kazunari Matsuda, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, et al. Shift Current Photovoltaics based on A Noncentrosymmetric Phase in in-plane Ferroelectric SnS. Advanced Materials. 2023
  • Hiroto Ogura, Seiya Kawasaki, Zheng Liu, Takahiko Endo, Mina Maruyama, Yanlin Gao, Yusuke Nakanishi, Hong En Lim, Kazuhiro Yanagi, Toshifumi Irisawa, et al. Multilayer In-Plane Heterostructures Based on Transition Metal Dichalcogenides for Advanced Electronics. ACS Nano. 2023
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MISC (84件)：
  • Kosuke Nagashio. Understanding interface properties in 2D heterostructure FETs. Semiconductor Science and Technology. 2020. 35. 10
  • 米盛樹生, DUTTA Sudipta, 長汐晃輔, 若林克法. SnS結晶の電子状態とラマン活性モードの構造依存性. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2020. 81st
  • 永村直佳, 永村直佳, 吹留博一, 長汐晃輔, 尾嶋正治. オペランドX線顕微分光によるグラフェントランジスタの界面電荷分析. 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2020. 81st
  • 長汐 晃輔. 2次元層状ヘテロFETにおける界面特性制御. 応用物理. 2020. 89. 3. 139-146
  • 川元颯巳, 東垂水直樹, 中村優, 若林克法, 長汐晃輔. 出発材料比較による高品質SnS薄膜の作製. 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM). 2019. 66th
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書籍 (2件)：
  • グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用 : 世界の動向、CVD合成、転写積層、量子物性、センサ・デバイス、THz応用
    エヌ・ティー・エス 2020 ISBN:9784860436636
  • グラフェンから広がる二次元物質の新技術と応用 : 世界の動向、CVD合成、転写積層、量子物性、センサ・デバイス、THz応用
    エヌ・ティー・エス 2020 ISBN:9784860436636
講演・口頭発表等 (109件)：
  • “Understanding interface properties in 2D heterostructure FETs”,
    (MRS spring meeting 2020, (April, 13-17, Phenix, AZ, USA). 2020)
  • “Room temperature ferroelectricity in monolayer SnS”,
    (“Room temperature ferroelectricity in monolayer SnS”, 4th International Workshop on 2D Materials 2020, (Feb., 26-28, Yonsei University, Seoul, Korea). 2020)
  • ”Photoresponse in h-BN encapsulated bilayer graphene field-effect phototransistor”
    (Materials Research Meeting 2019 2019)
  • ”Direct observation of electron capture & emission processes by the time domain charge pumping measurement of MoS2 FET”
    (Materials Research Meeting 2019 2019)
  • Ferroelectricity in monolayer SnS
    (JSPS/EPSRC C2C meeting 2019)
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学歴 (3件)：
  • 1999 - 2002 東京大学 大学院工学系研究科博士課程 材料学専攻
  • 1997 - 1999 東京大学 大学院工学系研究科修士課程 材料学専攻
  • 1993 - 1997 京都大学 工学部 金属加工学科
学位 (1件)：
  • Ph.D (The University of Tokyo)
経歴 (6件)：
  • 2020/06 - 現在 東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻 教授
  • 2011/04 - 2020/05 東京大学大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 准教授
  • 2007/09 - 2011/03 東京大学大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 講師
  • 2003/10 - 2007/08 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構 宇宙環境利用科学研究系 助手
  • 2002/04 - 2003/09 学振海外特別研究員 Stanford University
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所属学会 (5件)：
フラーレンナノチューブグラフェン学会 ,  IEEE EDS ,  MRS ,  応用物理学会 ,  日本金属学会
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