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J-GLOBAL ID：202002290712796208   整理番号：20A0658393

2次元層状ヘテロFETにおける界面特性制御

Control of the interface properties in a 2D layered heterostructure FET

著者 (1件)： 長汐晃輔 (東大)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 89  号： 3  ページ： 139-146  発行年： 2020年03月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： グラフェンの単離以来,すでに約15年が経過した.この間にバンドギャップを有する2次元層状物質も登場し,世界的な競争において基礎物性/応用両面で多くの成果が得られているが,電子デバイス応用に関しては依然として材料自身の高い潜在能力を期待しての議論にとどまっている.本稿では,従来のSiO₂/Siにおいて多くの研究により理解してきた界面描像と,グラフェンや代表的な2次元層状物質であるMoS₂を比較しながら,2次元層状物質の高い潜在能力を引き出す界面制御技術について解説する.(著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  ヘテロ接合 ,  界面 ,  二酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  *硫化モリブデン ,  *グラフェン ,  *表面準位 ,  素子構造 ,  積層構造 ,  バンドギャップ ,  絶縁膜 ,  ゲート【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  電圧 ,  電流 ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  二層グラフェン ,  ヘテロ構造 ,  高k誘電体 ,  単層グラフェン ,  *硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： *HFET ,  van der Waalsヘテロ構造 ,  ゲートスタック ,  ゲート電圧 ,  ドレイン電流 ,  *二硫化モリブデン ,  界面準位 ,  界面制御

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

引用文献 (65件)：

• 1) S.B. Desai, S.R. Madhvapathy, A.B. Sachid, J.P. Llinas, Q. Wang, G.H. Ahn, G. Pitner, M.J. Kim, J. Bokor, C. Hu, H.-S.P. Wong, and A. Javey: Science 354, 99 (2016).
• 2) D. Sarkar, X. Xie, W. Liu, W. Cao, J. Kang, Y. Gong, S. Kraemer, P.M. Ayajan, and K. Banerjee: Nature 526, 91 (2015).
• 3) D. Akinwande, C. Huyghebaert, C.-H. Wang, M.I. Serna, S. Goossens, L.-J. Li, H.-S.P. Wong, and F.H.L. Koppens: Nature 573, 507 (2019).
• 4) K. Kang, S. Xie, L. Hunag, Y. Han, P.Y. Huang, K.F. Mak, C.-J. Kim, D. Muller, and J. Park: Nature 520, 656 (2015).
• 5) H. Yu, M. Liao, W. Zhao, G. Liu, X.J. Zhou, Z. Wei, X. Xu, K. Liu, Z. Hu, K. Deng, S. Zhou, J.-A. Shi, L. Gu, C. Shen, T. Zhang, L. Du, L. Xie, J. Zhu, W. Chen, R. Yang, D. Shi, and G. Zhang: ACS Nano 11, 12001 (2017).

タイトルに関連する用語 (5件)： 2次元 ,  層状 ,  テロ ,  FET ,  界面特性