研究者
J-GLOBAL ID:200901021771847647
更新日: 2022年09月29日
原島 正幸
ハラシマ マサユキ | Harashima Masayuki
所属機関・部署:
旧所属 長岡技術科学大学 大学院工学研究科 材料工学専攻
旧所属 長岡技術科学大学 大学院工学研究科 材料工学専攻 について
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職名:
大学院生(博士課程)
研究分野 (1件):
電気電子材料工学
研究キーワード (4件):
表面構造
, 半導体
, Surface Structure
, Semiconductor
競争的資金等の研究課題 (2件):
2001 - 2006 SiC成長初期段階における表面観察
2001 - 2006 Surface observation at initial stage of SiC growth
MISC (2件):
M Harashima, K Yasui, T Akahane. The characterization of an Si(001)-c(4x4) structure formed using monomethylsilane. NANOTECHNOLOGY. 2004. 15. 6. S406-S409
原島 正幸, 安井 寛治, 赤羽 正志. モノメチルシランを用いたSiC成長初期段階に形成される表面構造のSTM観察. 表面科学学会誌. 2003. 24. 8. 474-479
学位 (1件):
修士(工学) (長岡技術科学大学)
所属学会 (7件):
電子情報通信学会
, 日本表面科学会
, 応用物理学会
, Information and Communication Engineers
, The Institute of Electronics
, The Surface Science Society of Japan
, The Japan Society of Applied Physics
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