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J-GLOBAL ID：200902208121228264   整理番号：03A0583511

モノメチルシランを用いたSiC成長初期段階に形成される表面構造のSTM観察

STM Observation of the Surface Structures Formed on the Initial Stage of SiC Growth Using Monomethylsilane

著者 (3件)： 原島正幸 (長岡技科大) ,  安井寛治 (長岡技科大) ,  赤羽正志 (長岡技科大)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 24  号： 8  ページ： 474-479  発行年： 2003年08月10日 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 基板温度700°CでSi(001)-(2×1)表面にモノメチル...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  塩  (CD01050V)

物質索引 (1件)： メチルシラン

引用文献 (11件)：

• NARITA, Y. Appl. Surf. Sci. 2003, 216, 575
• NARITA, Y. Appl. Surf. Sci. 2003, 212/213, 730
• BUTZ, R. Surf. Sci. 1998, 411, 61
• JOHNSON, K. E. Surf. Sci. 1993, 290, 213
• MIKI, K. Surf. Sci. 1999, 421, 397

タイトルに関連する用語 (7件)： メチルシラン ,  SiC ,  成長 ,  初期段階 ,  表面構造 ,  STM ,  観察