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J-GLOBAL ID：200902281048754040   整理番号：06A0786905

高密度,一様性そして品質をもつ1.3μmInAs量子ドットの実現

Realization of 1.3μm InAs quantum dots with high-density, uniformity, and quality
著者 (4件)：
AMANO Takeru

AMANO Takeru について

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST) and CREST, Photonics Res. Inst., Japan Sci. and ...)

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SUGAYA Takeyoshi

SUGAYA Takeyoshi について

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YAMAUCHI Shohgo

YAMAUCHI Shohgo について

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KOMORI Kazuhiro

KOMORI Kazuhiro について

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資料名：
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

Journal of Crystal Growth について


巻： 295  号： 2  ページ： 162-165  発行年： 2006年10月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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As2源そして勾配組成歪み低減層(GC...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*ヒ化インジウム

ヒ化インジウム について

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分類 (1件)：
分類
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半導体のルミネセンス 
(BM08092S)

半導体のルミネセンス について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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高密度

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一様性

一様性 について

, 
量子ドット

量子ドット について


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