研究者
J-GLOBAL ID:200901022371159128   更新日: 2022年09月28日

新宮原 正三

シングウバラ シヨウソウ | Shingubara Shiyousou
所属機関・部署:
職名: 助教授,研究員
研究分野 (5件): 構造材料、機能材料 ,  電気電子材料工学 ,  薄膜、表面界面物性 ,  結晶工学 ,  応用物性
研究キーワード (4件): ionic conduction Magnetic properties and materials Electric engineering in general Chemical engineering in general ,  Metallic composite materials Transport phenomena:diffusion ,  イオン伝導 磁性 電子工学一般 化学工学一般 ,  金属系複合材料 輸送現象:拡散
競争的資金等の研究課題 (6件):
  • 極微細配線及び素子の信頼性に関する研究
  • ULSI高信頼Cu・低誘電率膜多層配線技術
  • ナノ構造の自己組織形成及びその機能化の研究
  • Reliability of ULSI interconnections and ultrasmall devices.
  • Highly Reliable Cu-low-b multilevel interconnecti technology for ULSIs
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MISC (200件):
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特許 (12件):
  • 配線形成方法
  • 金属疲労加速試験評価方法
  • 微細配線層を有する半導体装置
  • インテリジェント抵抗素子
  • 集積回路の配線方法及び集積回路における穴又は溝の埋め込み配線方法並びにマル チチャンバー基板処理装置
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書籍 (2件):
  • 多層配線技術の最新動向 -銅配線/低誘電率膜-
    EDリサーチ社 2002
  • Recent trend of LSI multilevel interconnection technologies - u and Low-K -
    ED research 2002
Works (11件):
  • 半導体の信頼性評価の高精度化の研究 浜松ホトニクス
    2001 - 2002
  • 高信頼銅・低誘電率膜多層配線技術 半導体理工学研究センター
    1999 - 2002
  • 無電解Cuめっき技術の研究開発
    1999 - 2001
  • R&Dof electroless Cu plating
    1999 - 2001
  • ホルムアルデヒドフリー無電解銅めっき 広島県産業技術推進機構RSP事業
    2001 -
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学歴 (4件):
  • - 1985 東京工業大学 理学系研究科 応用物理学
  • - 1985 東京工業大学
  • - 1980 東京大学 教養学部 基礎科学
  • - 1980 東京大学
学位 (1件):
  • 理学博士 (東京工業大学)
経歴 (4件):
  • 1990 - 2001 広島大学工学部 助教授
  • 1990 - 2001 Hiroshima University, Associate Professor
  • 1985 - 1990 東芝ULSI研究所 研究員
  • 1985 - 1990 Toshiba ULSI Research Center, Researcher
委員歴 (1件):
  • 1996 - 2001 応用物理学会 分科会幹事
受賞 (1件):
  • 1990 - 国際固体素子材料コンファレンスベストペーパー賞
所属学会 (1件):
応用物理学会
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