研究者
J-GLOBAL ID:200901024032979690   更新日: 2019年04月03日

平松 和政

ヒラマツ カズマサ | HIRAMATSU Kazumasa
所属機関・部署:
職名: 名誉教授
研究分野 (3件): 応用物性・結晶工学 ,  電子・電気材料工学 ,  電子デバイス・電子機器
研究キーワード (3件): 半導体工学 ,  オプトエレクトロニクス ,  結晶成長工学
競争的資金等の研究課題 (3件):
  • 化合物半導体の結晶成長と評価
  • ワイドギャップ半導体の結晶成長と評価
  • ワイドギャップ半導体のオプトエレクトロニクスデバイス応用
MISC (2件):
  • NOVPEによる AlNバッファ層を用いたサファイア基板上のGaNの成長機構. 結晶成長誌. 1991. 115. 628
  • MOVPEによるGaN/サファイア基板上のGaN及びAlGaNの選択成長. 結晶成長誌. 1994. 144. 133
書籍 (1件):
  • MOVPE及びHVPEによる選択成長技術
    MRS会議論文集 1998
学歴 (2件):
  • - 1975 名古屋大学 工学部 電気学科
  • - 1983 名古屋大学 工学研究科 電子工学
学位 (1件):
  • 工学博士 (名古屋大学)
委員歴 (3件):
  • 1994 - 1996 応用物理学会 編集委員
  • 1994 - 1996 日本結晶成長学会 評議員
  • 1995 - 応用電子物性分科会 幹事
所属学会 (5件):
応用物理学会 ,  日本結晶成長学会 ,  応用電子物性分科会 ,  電子情報通信学会 ,  Material Research Society
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