GaN/サファイア基板上のウルツ鉱型GaNとAl<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>Nの選択的成長

文献

J-GLOBAL ID：200902182085833742 整理番号：95A0139295

GaN/サファイア基板上のウルツ鉱型GaNとAl_xGa_1-xNの選択的成長

Selective growth of wurtzite GaN and Al_xGa_1-xN on GaN/sapphire substrates by metalorganic vapor phase epitaxy.

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資料名：
巻： 144 号： 3/4 ページ： 133-140 発行年： 1994年12月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

SiO₂マスクを用いてGaN/サファイ...

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半導体薄膜

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