研究者
J-GLOBAL ID：200901024163919928   更新日: 2023年10月17日

藤沢 浩訓

フジサワ ヒロノリ | Fujisawa Hironori
所属機関・部署：
兵庫県立大学 大学院 工学研究科 電子情報工学専攻

兵庫県立大学 大学院 工学研究科 電子情報工学専攻 について


職名： 教授
ホームページURL (1件)： https://www.eng.u-hyogo.ac.jp/eecs/eecs7/index.html
研究分野 (2件)： 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (8件)： 強誘電体メモリ ,  走査型プローブ顕微鏡 ,  MOCVD法 ,  強誘電体薄膜 ,  ferroelectric random access memories ,  scanning probe microscopy ,  metalorganic chemical vapor deposition ,  ferroelectric thin films
競争的資金等の研究課題 (27件)：
  • 2021 - 2023 pn接合によらない異常光起電力効果に基づく次々世代高効率太陽電池の創製
  • 2019 - 2023 「強誘電体分極の巨大近接効果」の現象としての確立
  • 2019 - 2022 強誘電体帯電表面・界面における擬似ドーパント効果の検討とその制御
  • 2016 - 2019 超高集積強誘電体メモリ実現へ向けたブレークスルー技術の開発
  • 2016 - 2019 光アクチュエータを指向した強誘電体薄膜における異常光起電力効果の増強
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論文 (170件)：
  • Takeshi Asuka, Junpei Ouchi, Hironori Fujisawa, Seiji Nakashima. Crystallization of (Hf, Zr)O2thin films via non-heating process and their application to ferroelectric-gate thin film transistors. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SM
  • Kazuki Arima, Seiji Nakashima, Koji Kimura, Koichi Hayashi, Naohisa Happo, Hironori Fujisawa. Local atomic structure of V-doped BiFeO3thin films measured by X-ray fluorescence holography. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SM
  • Seiji Nakashima, Tatsuya Ito, Takuo Ohkochi, Hironori Fujisawa. Assessment of polarization-related band modulation at graphene/Mn-doped BiFeO3 interfaces by photoemission electron microscopy. Japanese Journal of Applied Physics. 2022. 61
  • Hironori Fujisawa, Kazuma Ikeda, Seiji Nakashima. Nonvolatile operation of vertical ferroelectric gate-all-around nanowire transistors. Japanese Journal of Applied Physics. 2021. 60. SF
  • Tsubasa Migita, Masafumi Kobune, Kengo Matsumoto, Yuuri Takeuchi, Hironori Fujisawa, Kensuke Kanda, Kazusuke Maenaka. Effects of post-annealing temperature and micropillar shape on physical properties of micropillar-type multiferroic composite thin films. Japanese Journal of Applied Physics. 2021. 60. SF. SFFB06-SFFB06
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MISC (16件)：
  • 藤沢 浩訓, 中嶋 誠二, 清水 勝. 強誘電体ナノワイヤ及びナノアイランドの自発分極に関する研究. 豊田研究報告. 2010. 63. 63. 135-139
  • 藤沢 浩訓, 中嶋 誠二, 清水 勝, 丹生 博彦. MOCVD-Pb(Zr, Ti)O_3薄膜の電気的特性のグレインサイズ依存性. 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス. 2009. 98. 591. 13-20
  • 藤沢 浩訓, 清水 勝. MOCVD法によるナノサイズ強誘電体の作製とその物性. 電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会. 2007. 2007. 9. 1-6
  • 清水 勝, 野々村 哉, 藤沢 浩訓, 丹生 博彦, 本田 耕一郎. MOCVD法による強誘電体ナノ構造の形成とその物性. 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス. 2005. 104. 713. 23-27
  • 野々村 哉, 藤沢 浩訓, 清水 勝, 丹生 博彦, 本田 耕一郎. MOCVD法により形成したPbTiO_3自己集合島の構造制御. 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス. 2004. 103. 729. 31-36
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書籍 (2件)：
  • Ferroelectric Thin Films (eds. M.Okuyama and Y.Ishibashi)
    Springer 2005 ISBN:3540241639
  • Nanoscale Phenomena in Ferroelectric Thin Films (ed. S. Hong)
    Kluwer Academic Publishers 2003 ISBN:1402076304
講演・口頭発表等 (99件)：
  • 反応性スパッタリングによる(Hf,Zr)O<sub>2</sub>薄膜の室温成膜
    (応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2022)
  • 蛍光X線ホログラフィによるMnドープBiFeO<sub>3</sub>薄膜の電場印加下における構造解析
    (応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2022)
  • 強誘電体自発分極によるグラフェン/BiFeO<sub>3</sub>界面のエネルギーバンド変調
    (応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2021)
  • 透明酸化物電極上への(Hf,Zr)O<sub>2</sub>薄膜の作製
    (応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2021)
  • BiFeO<sub>3</sub>薄膜キャパシタにおけるバルク光起電力効果
    (応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2021)
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学歴 (2件)：
  • - 1996 京都大学 工学研究科 電子工学
  • - 1994 京都大学 工学部 電子工学科
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (京都大学)
経歴 (11件)：
  • 2018 - 現在 兵庫県立大学 大学院工学研究科電子情報工学専攻 教授
  • 2008 - 2018 兵庫県立大学大学院工学研究科准教授
  • 2006 - 2008 兵庫県立大学大学院工学研究科助教
  • 2006 - 2008 Assistant Professor, Graduate School of Engineering, University of Hyogo
  • 2008 - - Associate Professor, Graduate School of Engineering, University of Hyogo
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所属学会 (8件)：
日本MRS ,  米国材料学会 ,  米国物理学会 ,  応用物理学会 ,  Materials Research Society of Japan ,  Materials Research Society ,  American Institute of Physics ,  The Japan Society of Applied Physics
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