研究者
J-GLOBAL ID:200901024163919928
更新日: 2024年10月31日
藤沢 浩訓
フジサワ ヒロノリ | Fujisawa Hironori
所属機関・部署:
職名:
教授
ホームページURL (1件):
https://www.eng.u-hyogo.ac.jp/eecs/eecs7/index.html
研究分野 (2件):
電子デバイス、電子機器
, 電気電子材料工学
研究キーワード (8件):
強誘電体メモリ
, 走査型プローブ顕微鏡
, MOCVD法
, 強誘電体薄膜
, ferroelectric random access memories
, scanning probe microscopy
, metalorganic chemical vapor deposition
, ferroelectric thin films
競争的資金等の研究課題 (28件):
- 2023 - 2026 低次元物質/強誘電体ヘテロ接合を用いた新メカニズム太陽電池の創出
- 2021 - 2023 pn接合によらない異常光起電力効果に基づく次々世代高効率太陽電池の創製
- 2019 - 2023 「強誘電体分極の巨大近接効果」の現象としての確立
- 2019 - 2022 強誘電体帯電表面・界面における擬似ドーパント効果の検討とその制御
- 2016 - 2019 超高集積強誘電体メモリ実現へ向けたブレークスルー技術の開発
- 2016 - 2019 光アクチュエータを指向した強誘電体薄膜における異常光起電力効果の増強
- 2013 - 2015 強誘電体ナノロッドを用いた超高集積強誘電体メモリ用キャパシタの作製
- 2012 - 2014 ナノ強誘電体の自発分極とそのサイズ依存性
- 2011 - 2013 エピタキシャル成長したビスマス層状構造強誘電体ナノプレートの創製と応用
- 2010 - 2012 強誘電体一次元ナノ構造の作製と機能創製
- 2010 - 2011 組成・価数制御されたBiFeO_3薄膜の作製とリーク電流機構解明
- 2008 - 2009 ナノサイズ強誘電体の作製とその分極反転に関する研究
- 2007 - 2008 等方高圧アニール法によるビスマス系ペロブスカイト化合物薄膜の創製
- 2006 - 2008 ナノサイズ強誘電体における分極反転に関する研究
- 2005 - 2006 MOCVD法による強誘電体極薄膜及びナノ構造の作製とサイズ効果に関する研究
- 2004 - 2006 強誘電体分域境界に生じる自発分極と結合した自由電子系の確定と解明
- 2000 - 2003 MOCVD法による高品質強誘電体薄膜の作製と物性評価
- 2001 - 2002 強誘電体及び電極薄膜の低温MOCVD成長と超高集積立体構造メモリへの応用
- 2001 - 2002 MOCVD法による強誘電体ナノ構造の作製とその強誘電性の評価
- 2000 - 2001 強誘電体薄膜のグレインバウンダリが電気特性に及ぼす影響の解明とメモリ素子への応用
- 2000 - 2001 強誘電体ゲートトランジスタの開発に向けての界面の改良と電子的特性評価
- 1999 - 2000 不純物が強誘電体薄膜に及ぼす影響と高純度強誘電体薄膜の作製およびその評価
- 1997 - 1998 強誘電体薄膜のサイズ効果とそれが薄膜メモリ特性に及ぼす影響
- 1997 - 1998 走査型複合プローブ顕微鏡を用いた強誘電体薄膜のナノレベル評価による劣化現象の解明
- 1996 - 1997 強誘電体/半導体(金属)界面の解析・制御とデバイス応用
- 1995 - 1996 強誘電体/導電体界面現象の解析・制御とメモリ素子への応用
- MOCVD法による強誘電体薄膜の作製・物性評価及び強誘電体メモリへの応用に関する研究
- Preparation and characterization of ferroelectric thin films by MOCVD and their applications for ferroelectric memories
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論文 (175件):
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Seiji Nakashima, Koji Kimura, Naohisa Happo, Artoni Kevin R. Ang, Yuta Yamamoto, Halubai Sekhar, Ai I. Osaka, Koichi Hayashi, Hironori Fujisawa. Intermediate multidomain state in single-crystalline Mn-doped BiFeO3 thin films during ferroelectric polarization switching. Scientific Reports. 2024. 14. 1
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Hideaki Tanimura, Yuma Ueno, Tomoya Mifune, Hironori Fujisawa, Seiji Nakashima, Ai I. Osaka, Shinichi Kato, Takumi Mikawa. Corrigendum: “Low-thermal-budget crystallization of ferroelectric Al:HfO2 films by millisecond flash lamp annealing” [Jpn. J. Appl. Phys. 63 09SP10 (2024)]. Japanese Journal of Applied Physics. 2024
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Hideaki Tanimura, Yuma Ueno, Tomoya Mifune, Hironori Fujisawa, Seiji Nakashima, Ai I. Osaka, Shinichi Kato, Takumi Mikawa. Low-thermal-budget crystallization of ferroelectric Al:HfO2 films by millisecond flash lamp annealing. Japanese Journal of Applied Physics. 2024
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Takeshi Asuka, Junpei Ouchi, Hironori Fujisawa, Seiji Nakashima. Crystallization of (Hf, Zr)O2thin films via non-heating process and their application to ferroelectric-gate thin film transistors. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SM
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Kazuki Arima, Seiji Nakashima, Koji Kimura, Koichi Hayashi, Naohisa Happo, Hironori Fujisawa. Local atomic structure of V-doped BiFeO3thin films measured by X-ray fluorescence holography. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SM
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MISC (16件):
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藤沢 浩訓, 中嶋 誠二, 清水 勝. 強誘電体ナノワイヤ及びナノアイランドの自発分極に関する研究. 豊田研究報告. 2010. 63. 63. 135-139
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藤沢 浩訓, 中嶋 誠二, 清水 勝, 丹生 博彦. MOCVD-Pb(Zr, Ti)O_3薄膜の電気的特性のグレインサイズ依存性. 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス. 2009. 98. 591. 13-20
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藤沢 浩訓, 清水 勝. MOCVD法によるナノサイズ強誘電体の作製とその物性. 電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会. 2007. 2007. 9. 1-6
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清水 勝, 野々村 哉, 藤沢 浩訓, 丹生 博彦, 本田 耕一郎. MOCVD法による強誘電体ナノ構造の形成とその物性. 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス. 2005. 104. 713. 23-27
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野々村 哉, 藤沢 浩訓, 清水 勝, 丹生 博彦, 本田 耕一郎. MOCVD法により形成したPbTiO_3自己集合島の構造制御. 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス. 2004. 103. 729. 31-36
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書籍 (2件):
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Ferroelectric Thin Films (eds. M.Okuyama and Y.Ishibashi)
Springer 2005 ISBN:3540241639
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Nanoscale Phenomena in Ferroelectric Thin Films (ed. S. Hong)
Kluwer Academic Publishers 2003 ISBN:1402076304
講演・口頭発表等 (110件):
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Electric-field-induced Structural Changes around Fe and Mn Atoms in Mn-doped BiFeO3 Single Crystal Thin Film Measureed by X-ray Fluorescence Holography
(International Conference on Complex Orders in Condensed Matter 2023 (ICCOCM2023) 2023)
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Dopant-induced Local Atomic Structure Modulation of Transition-metal-doped BiFeO3 Single Crystal Thin Films Measured by X-ray Fluorescence Holography
(International Conference on Complex Orders in Condensed Matter 2023 (ICCOCM2023) (2023/9/24-29, Evian, France) 2023)
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非加熱プロセスによる(Hf,Zr)O<sub>2</sub>薄膜を用いた強誘電体薄膜トランジスタの作製
(応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2023)
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グラフェン/BiFeO<sub>3</sub>ヘテロ構造形成プロセスの検討
(応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 2023)
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Ferroelectric-gated nanowire transistors with HfO2 thin films
(The 9th Joint Symposium on Advanced Materials and Applications (JSAMA-9) 2023)
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学歴 (2件):
- - 1996 京都大学 工学研究科 電子工学
- - 1994 京都大学 工学部 電子工学科
学位 (1件):
経歴 (11件):
- 2018 - 現在 兵庫県立大学 大学院工学研究科電子情報工学専攻 教授
- 2008 - 2018 兵庫県立大学大学院工学研究科准教授
- 2006 - 2008 兵庫県立大学大学院工学研究科助教
- 2006 - 2008 Assistant Professor, Graduate School of Engineering, University of Hyogo
- 2008 - - Associate Professor, Graduate School of Engineering, University of Hyogo
- 2004 - 2006 兵庫県立大学大学院工学研究科助手
- 2004 - 2006 Research Associate, Graduate School of Engineering, University of Hyogo
- 2002 - 2004 姫路工業大学 大学院工学研究科 助手
- 2002 - 2004 Research Associate, Graduate School of Engineering, Himeji Institute of Technology
- 1996 - 2002 姫路工業大学工学部 助手
- 1996 - 2002 Research Associate, Faculty of Engineering, Himeji Institute of Technology
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所属学会 (8件):
日本MRS
, 米国材料学会
, 米国物理学会
, 応用物理学会
, Materials Research Society of Japan
, Materials Research Society
, American Institute of Physics
, The Japan Society of Applied Physics
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