研究者
J-GLOBAL ID:200901027033440115
更新日: 2020年04月29日
黎 大兵
リ ダイビン | Dabing Li
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ホームページURL (1件):
http://www.elec.mie-u.ac.jp/opt/
研究分野 (4件):
電子デバイス、電子機器
, 電気電子材料工学
, 結晶工学
, 応用物性
研究キーワード (6件):
有機金属気相成長
, III族窒化物半導体
, 半導体
, MOVPE
, III-Nitrides
, Semiconductor
競争的資金等の研究課題 (2件):
2006 - 2008 III族窒化物半導体の結晶成長と評価
2004 - 2006 Mental-organic Vapor Phase Epitaxial Growth and Characterization of III-Nitrides
MISC (4件):
Da-Bing Li et al, Alloy compositional fluctuation in InAlGaN films. Applied. Physics. A. 2005. 80. 695-699
Dabing Li et al, Metalorganic Vapor Phase Epitaxy growth and characterization of InAlGaN films. Journal of Synthetic Crystals. 2004. 33. 4. 539
DB Li, Dong, X, JS Huang, XL Liu, ZY Xu, ZG Wang. Growth and photoluminescence of InAlGaN films. 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS. 2003. 0. 7. 2001-2005
Dabing Li et al., Structure and optical properties of InAlGaN films grown directly on low-temperature buffer layer with (0001) sapphire substrate. Journal of Crystal Growth. 2003. 249. 1/2. 72-77
学歴 (6件):
- 2004 中国科学アカデミー 半導体研究所 材料物理化学
- 2004 Chinese Academy of Science Institute of Semiconductors Materials Physics and Chemistry
- 2001 吉林大学 材料科学工学 材料プロセス工学
- 2001 Jilin University Materials Science and Engineering Materials Processing Engineering
- 1998 吉林工業大学 材料科学工学科
- 1998 Jilin University of Technology Department of Materials Science and Engineering
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学位 (2件):
博士(工学) (中国科学アカデミー(中国))
修士(工学) (吉林大学(中国))
経歴 (5件):
2004 - - 三重大学サテライトベンチャービジネスラボラトリー
2004 - - Part-Time Researcher, Satellite Venture Business
三重大学 工学部 電気電子工学科 研究員
非常勤研究員
Laboratory Mie University
委員歴 (2件):
2001 - 2004 III族窒化物半導体の結晶成長と評価に関する研究
1998 - 2001 微粒子の作製と応用に関する研究
所属学会 (1件):
応用物理学会
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