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J-GLOBAL ID：200902218760646781   整理番号：03A0098229

(0001)サファイア基板の低温緩衝層上に直接成長させたInAlGaN薄膜の構造的および光学的性質

Structural and optical properties of InAlGaN films grown directly on low-temperature buffer layer with (0001) sapphire substrate.

著者 (8件)： LI D (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  DONG X (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  HUANG J (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  LIU X (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  XU Z (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  WANG X (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  ZHANG Z (Inst. Physics, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN) ,  WANG Z (Inst. Semiconductors, Chinese Acad. Sci., Beijing, CHN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 249  号： 1/2  ページ： 72-77  発行年： 2003年02月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記緩衝層の最上部に高品質の四元InAlGaN薄膜を成長させ...

シソーラス用語： 基板 ,...
準シソーラス用語： 担体

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： サファイア基板 ,  低温 ,  緩衝層 ,  成長 ,  薄膜 ,  光学的性質