研究者

J-GLOBAL ID：200901027294814675 更新日: 2022年07月07日

原市聡

ハライチサトシ | Haraichi Satoshi

所属機関・部署：
ホームページURL (1件)： http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=S60469125

研究分野 (1件)：数理物理、物性基礎

研究キーワード (7件)：電子ビーム露光磁性トンネル接合単一電子輸送シリコン半導体表面 , harmonic-generation , chemisorption , photo-induced , silicon , reaction , semiconductor surface

競争的資金等の研究課題 (1件)：

シリコン表面・界面およびナノ加工・ナノデバイス

MISC (20件)：

F Sasaki, S Haraichi, S Kobayashi. Highly oriented molecular aggregates in 1-D photonic crystal slabs: Toward the control of molecular arrangement from submicron to nanometer region. IEEE JOURNAL ON SELECTED AREAS IN COMMUNICATIONS. 2005. 23. 7. 1385-1389
Spectrally-narrowed Emissions of Thiophene/phenylene Co-oligomers Films Deposited on Si and SiO2 Substrates. proceedings of the inter-national symposium on super-functionality organic devices, IPAP conference series 6. 2005. 6. 161-163
S Okayama, S Haraichi, H Matsuhata. Reference sample for the evaluation of SEM image resolution at a high magnification-nanometer-scale Au particles on an HOPG substrate. JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY. 2005. 54. 4. 345-350
Spectrally-narrowed Emissions of Thiophene/phenylene Co-oligomers Films Deposited on Si and SiO2 Substrates. proceedings of the international symposium on super-functionality organic devices. 2005. 161-163
有機半導体レーザー材料チオフェン・フェニレン・コオリゴマー薄膜における強励起効果. 電子情報通信学会技術研究報告. 2005. 104. 641. 57-62

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学歴 (2件)：

京都大学
京都大学

経歴 (4件)：

1992/04/01 - 現在電子技術総合研究所
1992/04/01 - 現在 Electrotechnical Lab.
1983/04/01 - 1992/03/31 日立製作所
1983/04/01 - 1992/03/31 Hitachi Ltd.

所属学会 (6件)：

American Vacuum Society , 電子情報通信学会 , 日本磁気学会 , 応用物理学会 , Applied Physics Society , American Vacuum Society

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