研究者
J-GLOBAL ID:200901028105350112
更新日: 2022年09月13日
竹田 精治
タケダ セイジ | Takeda Seiji
所属機関・部署:
大阪大学 産業科学研究所
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研究分野 (4件):
金属材料物性
, 結晶工学
, 応用物性
, 半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (4件):
電子顕微鏡
, 固体構造
, transmission electron microscopy
, Structural properties of condensed matter
競争的資金等の研究課題 (6件):
半導体新奇ナノ構造のデバイスへの応用
半導体のナノ構造
半導体の格子欠陥の電子顕微鏡法による研究
Application of novel nanostructures to electronic devices
Nanostructures in semiconducting materials
Electron Microscopy Study of Lattice Defects in Semiconducting Materials
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MISC (87件):
Y Ohno, T Shirahama, S Takeda, A Ishizumi, Y Kanemitsu. Fe-catalytic growth of ZnSe nanowires on a ZnSe(001) surface at low temperatures by molecular-beam epitaxy. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2005. 87. 4
Y Ohno, T Shirahama, S Takeda, A Ishizumi, Y Kanemitsu. Fe-catalytic growth of ZnSe nanowires on a ZnSe(001) surface at low temperatures by molecular-beam epitaxy. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2005. 87. 4
J Kikkawa, Y Ohno, S Takeda. Growth rate of silicon nanowires. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2005. 86. 12
J Kikkawa, Y Ohno, S Takeda. Growth rate of silicon nanowires. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2005. 86. 12
K Shoda, T Matsubara, S Takeda. Analysis of grain boundaries in CoCrTa and CoPtCrBHDD media by analytical transmission electron microscopy. JOURNAL OF ELECTRON MICROSCOPY. 2005. 54. 1. 1-9
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Works (2件):
半導体の結晶成長と格子欠陥
2000 -
Crystal growth and lattice defects in semiconductors
2000 -
学歴 (4件):
- 1981 広島大学 理学研究科 物性学
- 1981 広島大学
- 1976 横浜市立大学 文理学部(理科系) 理学科
- 1976 横浜市立大学
学位 (1件):
理学博士 (広島大学)
経歴 (3件):
1992 - - 科学技術庁無機材質研究所 客員研究官
1984 - 1985 米国カリフォルニア大学ローレンスバークレー研究所 博士研究員
1983 - 日本学術振興会 奨励研究員
受賞 (3件):
1997 - 日本電子顕微鏡学会学会賞(瀬藤賞)
1991 - 米国金属学会写真賞第5部門2席(1991 International Metallographic Contest)
1991 - 日本金属学会 金属組織写真賞
所属学会 (4件):
日本結晶学会
, 日本電子顕微鏡学会
, 日本金属学会
, 日本物理学会
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