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J-GLOBAL ID：200902273072118217   整理番号：05A0750842

分子ビームエピタクシー法によるZnSe(001)表面へのZnSeナノ細線の低温Fe触媒成長

Fe-catalytic growth of ZnSe nanowires on a ZnSe(001) surface at low temperatures by molecular-beam epitaxy

著者 (5件)： OHNO Yutaka (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SHIRAHAMA Takeo (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  TAKEDA Seiji (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ISHIZUMI Atsushi (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN) ,  KANEMITSU Yoshihiko (Nara Inst. of Sci. and Technol., Nara, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 87  号： 4  ページ： 043105.1-043105.3  発行年： 2005年07月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Fe粒子のような適当な触媒を利用すると,250~350°Cの低...

シソーラス用語： *セレン化亜鉛 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 分子ビームエピタクシー法 ,  ZnSe ,  ナノ細線 ,  低温 ,  Fe ,  触媒 ,  成長