研究者
J-GLOBAL ID：200901035491951601   更新日: 2025年12月11日

山下 善文

Yamashita Yoshifumi | Yamashita Yoshifumi
所属機関・部署：
岡山大学 学術研究院自然科学学域

岡山大学 学術研究院自然科学学域 について


職名： 准教授
ホームページURL (1件)： http://www.ec.okayama-u.ac.jp/~dm/yamasita/src/index.html
研究分野 (4件)： 電気電子材料工学 ,  結晶工学 ,  応用物性 ,  半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (4件)： 格子欠陥 ,  応用物性・結晶工学 ,  Lattice Defects ,  Applied Physics of Property and Crystallography
競争的資金等の研究課題 (7件)：
  • 2009 - 2011 水蒸気プラズマ処理によるGaN系半導体の発光増大機構の解明と発光デバイスへの応用
  • 2003 - 2005 電子励起を用いた半導体中水素ダイナミクスの制御
  • 1999 - 2001 荷電制御による原子操作
  • 1998 - 1999 半導体中の転位に対する水素誘起転位運動促進効果と歪みエピ膜の緩和制御への応用
  • 1996 - 1996 半導体超格子中の転位運動と転位フィルタリングのメカニズム
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論文 (78件)：
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MISC (2件)：
特許 (1件)：
  • 水蒸気プラズマ処理による窒化物半導体発光ダイオードの高効率化, 水蒸気プラズマ処理による酸化亜鉛の可視発光の高効率化
講演・口頭発表等 (380件)：
  • 容量-電圧法によるβ-Ga2O3の電気特性評価のためのオーム性電極作製条件
    (2025年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2025)
  • 逆バイアス処理で消滅した多結晶Si中の鉄関連準位の回復挙動
    (2025年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2025)
  • 走査電子顕微鏡で観察した4H-SiC中の部分転位運動 -電子線走査速度依存性-
    (2025年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2025)
  • β-Ga2O3の容量電圧特性に及ぼす表面処理の影響
    (2024年度 多元系化合物・太陽電池研究会 年末講演会 2024)
  • β-Ga2O3の電気特性評価に及ぼす表面処理の影響
    (2024年度応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会 2024)
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学位 (1件)：
  • 博士(工学) (東京大学)
経歴 (2件)：
  • 2008 - - 岡山大学自然科学研究科 准教授
  • 2008 - - Associate Professor,Graduate School of Natural Science and Technology,Okayama University
委員歴 (1件)：
  • 2012 - 2022 日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145委員会 委員(2012-2022)
受賞 (1件)：
  • 1998 - 第4回応用物理学会講演奨励賞
所属学会 (2件)：
応用物理学会 ,  日本物理学会
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