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J-GLOBAL ID：200902126199874328   整理番号：99A0244765

シリコン中の水素-炭素複合欠陥の構造と水素の局所運動

Structure of a hydrogen-carbon complex and local motion of hydrogen in silicon.

著者 (3件)： 上浦洋一 (岡山大 工) ,  福田和久 (岡山大 工) ,  山下善文 (岡山大 工)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 68  号： 2  ページ： 161-165  発行年： 1999年02月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体での挙動が注目されている水素関連欠陥のミクロな構造と水...

シソーラス用語： *複合欠陥 ,...

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分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (24件)：

• 吉田博. 日本物理学会誌. 1989, 44, 657
• PANKOVE, J. I. Hydrogen in Semiconductors, Semiconductors and Semimetals. 1991, 34
• STUTZMANN, M. Proc.6th Trieste Semiconductor Symposium on Hydrogen in Semiconductors. 1991
• STUTZMANN, M. Physica. 1991, B170
• PEARTON, S. J. Hydrogen in Crystalline Semiconductors. 1992

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  水素 ,  炭素 ,  複合欠陥 ,  運動