研究者
J-GLOBAL ID:200901042587515019   更新日: 2020年08月25日

松倉 文礼

マツクラ フミヒロ | Matsukura Fumihiro
所属機関・部署:
職名: 准教授
ホームページURL (2件): http://db.tohoku.ac.jp/whois/detail/4b263777cc31add8e60f85b3b5a58fd7.htmlhttp://db.tohoku.ac.jp/whois/e_detail/4b263777cc31add8e60f85b3b5a58fd7.html
研究分野 (1件): 電子デバイス、電子機器
競争的資金等の研究課題 (1件):
  • 1994 - 現在 III・V族半導体の物性と応用
論文 (72件):
MISC (1件):
講演・口頭発表等 (107件):
  • 超薄膜を用いた垂直磁化型強磁性トンネル接合
    (第59回応用物理学会学術講演会 2012)
  • 垂直CoFeB/MgO磁気トンネル接合の熱安定性の記録層膜厚依存性
    (第59回応用物理学会学術講演会 2012)
  • CoFeB/MgO積層構造における磁気特性のCoFeB組成依存性
    (第59回応用物理学会学術講演会 2012)
  • Tunnel stability factor of CoFeB/MgO perpendicular magnetic tunnel junctions
    (2nd CSIS Int. Symposium on Spintronics-based VLSIs and 8th RIEC International Workshop on Spintronics 2012)
  • Annealing temperature dependence of tunnel magnetoresistance in MgO magnetic tunnel junctions with thin CoFeB electrodes
    (2nd CSIS Int. Symposium on Spintronics-based VLSIs and 8th RIEC International Workshop on Spintronics 2012)
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学位 (1件):
  • 博士(理学) (北海道大学)
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