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文献
J-GLOBAL ID:201102220232263814   整理番号:11A0571870

垂直異方性のCoFe/Pd多層があるCoFeB/MgO系磁気トンネル接合におけるトンネル磁気抵抗特性のPd層厚依存性

Pd Layer Thickness Dependence of Tunnel Magnetoresistance Properties in CoFeB/MgO-Based Magnetic Tunnel Junctions with Perpendicular Anisotropy CoFe/Pd Multilayers
著者 (11件):
資料名:
巻:号:ページ: 023002.1-023002.3  発行年: 2011年02月25日 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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著者らは,2種類の異なるPd層厚の[CoFe/Pd]多層/CoFeB/MgO/CoFeB/[Pd/CoFe]多層磁気トンネル接合(MTJ)のトンネル磁気抵抗(TMR)特性を調べた。Pd層厚が1.2nmから0.2nmへ減少すると,300°Cのアニーリング温度(Ta)でTMR比は7%から101%へ増大した。薄いPd層のとき,高Taアニーリング後,CoFeB層に高い残留B濃度が生じ,fcc(111)-Pd層側からのCoFeB層の結晶化が抑制された。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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その他の接合  ,  金属結晶の電子伝導 
引用文献 (20件):
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