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J-GLOBAL ID：201102220232263814   整理番号：11A0571870

垂直異方性のCoFe/Pd多層があるCoFeB/MgO系磁気トンネル接合におけるトンネル磁気抵抗特性のPd層厚依存性

Pd Layer Thickness Dependence of Tunnel Magnetoresistance Properties in CoFeB/MgO-Based Magnetic Tunnel Junctions with Perpendicular Anisotropy CoFe/Pd Multilayers

著者 (11件)： MIZUNUMA Kotaro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YAMANOUCHI Michihiko (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  IKEDA Shoji (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SATO Hideo (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YAMAMOTO Hiroyuki (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  GAN Hua-Dong (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MIURA Katsuya (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MIURA Katsuya (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  HAYAKAWA Jun (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  MATSUKURA Fumihiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHNO Hideo (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 4  号： 2  ページ： 023002.1-023002.3  発行年： 2011年02月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,2種類の異なるPd層厚の[CoFe/Pd]多層/CoFeB/MgO/CoFeB/[Pd/CoFe]多層磁気トンネル接合(MTJ)のトンネル磁気抵抗(TMR)特性を調べた。Pd層厚が1.2nmから0.2nmへ減少すると,300°Cのアニーリング温度(T_a)でTMR比は7%から101%へ増大した。薄いPd層のとき,高T_aアニーリング後,CoFeB層に高い残留B濃度が生じ,fcc(111)-Pd層側からのCoFeB層の結晶化が抑制された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 磁気抵抗効果 ,  コバルト含有合金 ,  *鉄合金 ,  ホウ素含有合金 ,  *パラジウム ,  トンネル接合 ,  膜厚 ,  金属薄膜 ,  結晶化 ,  MRAM ,  非晶質合金 ,  *トンネル磁気抵抗効果
準シソーラス用語： *MTJ

分類 (2件)： その他の接合  (BM03088W) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M)

引用文献 (20件)：

• HOSOMI, M. IEDM Tech. Dig., 2005. 2005, 459
• KAWAHARA, T. IEEE J. Solid-State Circuits. 2008, 43, 109
• KISHI, T. IEDM Tech. Dig., 2008. 2008, 309
• MATSUNAGA, S. Appl. Phys. Express. 2008, 1, 091301
• NAKAYAMA, M. J. Appl. Phys. 2008, 103, 07A710

タイトルに関連する用語 (9件)： 垂直 ,  異方性 ,  PD ,  多層 ,  MgO ,  磁気トンネル接合 ,  トンネル磁気抵抗 ,  層厚 ,  依存性