研究者
J-GLOBAL ID：200901046166029943   更新日: 2024年09月24日

石川 博康

イシカワ ヒロヤス | Ishikawa Hiroyasu
所属機関・部署：
芝浦工業大学 工学部 電子工学科

芝浦工業大学 工学部 電子工学科 について


職名： 教授
研究分野 (1件)： 結晶工学
競争的資金等の研究課題 (1件)：
  • 2009 - 2010 球状シリコン上GaNのヘテロエピタキシーと高出力LEDの研究
論文 (94件)：
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MISC (1件)：
  • SANO Yoshiaki, KAIFU Katsuaki, MITA Juro, YAMADA Tomoyuki, MAKITA Takehiko, SAGIMORI Tomohiko, OKITA hideyuki, ISHIKAWA Hiroyasu, EGAWA Takashi, JIMBO Takashi. High-Frequency Property of AIGaN/GaN-HEMT with Recessed Gate. IEICE transactions on electronics. 2003. 86. 4. 687-688
書籍 (1件)：
  • MOCVD法によるSi(110)基板上へのGaNの成長
    2009
講演・口頭発表等 (237件)：
  • TiNをドープしたアモルファスカーボン薄膜の諸特性
    (2024年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会 2024)
  • 酸化錫ドープ アモルファスカーボン薄膜の諸特性
    (2024年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会 2024)
  • 光電変換素子に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるInN薄膜の作製
    (第6回結晶工学×ISYSE合同研究会 (応用物理学会) 研究ポスター発表会、ポスター:P-13 2023)
  • RFマグネトロンスパッタリング法によるCu3N薄膜作製における微量酸素の影響
    (第6回結晶工学×ISYSE合同研究会 (応用物理学会) 研究ポスター発表会、ポスター:P-8 2023)
  • Cu2O変換CuOおよびCuOに対するLi2Oを用いたCuO薄膜のLiドーピング
    (第6回結晶工学×ISYSE合同研究会 (応用物理学会) 研究ポスター発表会、ポスター:P-7 2023)
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学歴 (1件)：
  • 1995 - 1998 名古屋工業大学 大学院工学研究科 電気情報工学専攻(旧専攻)
学位 (1件)：
  • 博士(工学) (名古屋工業大学)
経歴 (9件)：
  • 2014/04 - 現在 芝浦工業大学 工学部 電子工学科 教授
  • 2009/04 - 2013/03 芝浦工業大学 工学部 電子工学科 准教授
  • 2008/04 - 2009/03 名古屋工業大学 大学院工学研究科 機能工学専攻 准教授
  • 2006/04 - 2008/03 名古屋工業大学 大学院工学研究科 都市循環システム工学専攻 准教授
  • 2005/05 - 2006/03 名古屋工業大学 大学院工学研究科 都市循環システム工学専攻 助教授
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