研究者

J-GLOBAL ID：200901048016061728 更新日: 2020年06月06日

齋藤秀和

サイトウヒデカズ | Saito Hidekazu

所属機関・部署：
ホームページURL (1件)： http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=H40307142

研究分野 (1件)：数理物理、物性基礎

研究キーワード (2件)：磁性半導体 , Magnetic Semiconductor

競争的資金等の研究課題 (1件)：

磁性半導体

MISC (23件)：

K Dziatkowski, L Cywinski, W Bardyszewski, A Twardowski, H Saito, K Ando. Influence of disorder on the optical absorption in semiconductors: Application to epitaxially grown III-V compounds. PHYSICAL REVIEW B. 2006. 73. 23. 235340
GaMnAs系MTJにおけるスピン依存伝導特性. 応用磁気学会研究会要項. 2006
H Saito, S Yuasa, K Ando. Origin of the tunnel anisotropic magnetoresistance in Ga1-xMnxAs/ZnSe/Ga1-xMnxAs magnetic tunnel junctions of II-VI/III-V heterostructures. PHYSICAL REVIEW LETTERS. 2005. 95. 8. 0866050-1-0866050-4
M Ohta, K Fukamichi, A Fujita, H Saito, T Goto. Itinerant-electron metamagnetism and susceptibility maximum behavior in several kinds of Laves-phase compounds. JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS. 2005. 394. 1-2. 43-50
M Ohta, K Fukamichi, A Fujita, H Saito, T Goto. Itinerant-electron metamagnetism and onset of weak ferromagnetism in laves phase Y(Co1-xGax)(2) compounds. JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS. 2005. 290. 1. 431-434

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学歴 (4件)：

東北大学工学部材料物性学科
東北大学大学院工学研究科材料物性学専攻
Department of Materials Science, School of Engineering, Tohoku University
東北大学知能デバイス材料学専攻

学位 (1件)：

工学博士

経歴 (3件)：

2000 - 電子技術総合研究所材料科学部
2000 - : Materials Science Division Electro Technical
Laboratory

所属学会 (6件)：

日本物理学会 , 日本金属学会 , 日本応用磁気学会 , The Physical Society of Japan , The Magnetics Society of Japan , The Japan Institute of Metals

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