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J-GLOBAL ID：201302236313366233   整理番号：13A1595541

狭ギャップ半導体およびシリコンスピントロニクスの最近の話題 強磁性トンネル接合を用いたGeへの電気的スピン偏極電子生成

Electrical Creation of Spin Polarization into Ge Using Ferromagnetic Tunnel Contact

著者 (1件)： 齋藤秀和 (産業技術総合研 ナイスピントロニクス研究セ)
資料名： まぐね  (Magnetics Japan)
巻： 8  号： 5  ページ： 237-243  発行年： 2013年10月01日 
JST資料番号： L5842A  ISSN： 1880-7208  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体にスピン偏極電子キャリアを電気的に生成するには,強磁性体と半導体とのトンネル接合が必要であり,Fe/GaAsの場合には直接接合により界面に数nmのショットキー障壁が形成される。しかし半導体がSiの場合には界面に磁気的に不活性なシリサイドが形成されやすい。このような場合には界面にトンネル接合層を設ける方法が用いられる。また半導体中に注入されたスピン偏極電子流を電気的な検出には,電流端子と電圧端子とを分けた構成の非局所配置の電極を用いて,Hanle効果を捉える方法が用いられている。こうした中で,GeがSiよりもバンドキャップが狭く高いキャリア移動度を有することに着目し,Fe/MgO/p-Geの構成により,ショットキー障壁のないトンネル障壁層を形成することができ,Geへのスピン偏極キャリアを注入できることを確かめた。またFe/GeO₂/p-Geにおいて,室温にてHanle信号を検出することとができた。

シソーラス用語： スピントロニクス ,  *スピン分極 ,  キャリア ,  *トンネル接合 ,  ゲルマニウム ,  キャリア移動度 ,  信号検出 ,  化合物半導体 ,  電気制御 ,  電子 ,  強磁性体 ,  Schottky障壁 ,  ケイ化物 ,  ケイ素 ,  効果 ,  酸化マグネシウム ,  ポテンシャル障壁 ,  *注入 ,  文献展望 ,  電荷キャリア ,  *磁気トンネル接合
準シソーラス用語： Hanle効果 ,  シリコンスピントロニクス ,  *スピン注入 ,  トンネル障壁 ,  ナローギャップ半導体 ,  *強磁性トンネル接合 ,  文献レビュー ,  偏極電子

分類 (2件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

引用文献 (56件)：

• DATTA, S. Appl. Phys. Lett. 1990, 56, 665
• SUGAHARA, S. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 2307
• OHNO, Y. Nature. 1999, 402, 790
• ZHU, H. J. Phys. Rev. Lett. 2001, 87, 016601
• HANBICKI, A. T. Appl. Phys. Lett. 2002, 84, 1240

タイトルに関連する用語 (8件)： ギャップ ,  シリコン ,  スピントロニクス ,  話題 ,  強磁性トンネル接合 ,  Ge ,  スピン偏極 ,  電子生成