研究者
J-GLOBAL ID：200901048194827882   更新日: 2024年10月16日

本田 徹

ホンダ トオル | HONDA Tohru
所属機関・部署：
工学院大学 先進工学部 応用物理学科

工学院大学 先進工学部 応用物理学科 について


職名： 教授
研究分野 (4件)： 電気電子材料工学 ,  数理物理、物性基礎 ,  電子デバイス、電子機器 ,  半導体、光物性、原子物理
論文 (30件)：
  • J. Yamada, A. Mizuno, Ta. Honda, K. Yoshida, R. Togashi, I. Nomura, T. Yamaguchi, T. Honda and K. Kishino. “InGaN/GaN superlattice underlayer for fabricating of red nanocolumn μ-LEDs with (10-11) plane InGaN/AlGaN MQWs. Nanotechnology. 2023. 34. 435201
  • T. Onuma, K. Kudo, M. Ono, W. Kosaka, K. Shima, K. Ishii, K. Kaneko, Y. Ota, T. Yamaguchi, K. Kojima, et al. Steady-state and dynamic characteristics of deep UV luminescence in rock salt-structured MgxZn1-xO,. Journal of Applied Physics. 2023. 134. 025102
  • A. Taguchi, T. Yamamoto, K. Kaneko, K. Goto, T. Onuma, T. Honda, Y. Kumagai, S. Fujita, and T. Yamaguchi. Growth of α-In2O3 films with different concentrations of In2O3 powder used as source precursor by mist chemical vapor deposition. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SF1023
  • W. Kosaka, S. Hoshi, K. Kudo, K. Kaneko, T. Yamaguchi, T. Honda, S. Fujita, and T. Onuma. Vacuum Ultraviolet Emission Properties of Rocksalt- Structured MgZnO Microcrystals Prepared on Quartz Glass Substrates. Physica Status Solidi (b). 2021. 259. 2100354
  • A. Taguchi, S. Takahashi, A. Sekiguchi, K. Kaneko, S. Fujita, T. Onuma, T. Honda, and T. Yamaguchi. Mist Chemical Vapor Deposition Growth of alfa-In2O3 Films Using Indium Oxide Powder as Source Precursor. Physica Status Solidi (b). 2021. 259. 2. 2100414
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MISC (283件)：
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書籍 (6件)：
  • 半導体デバイスの基礎と応用
    産業図書 2011 ISBN:9784782855553
  • 半導体デバイスの基礎と応用
    産業図書 2011 ISBN:9784782855553
  • 次世代光記録技術と材料
    シーエムシー出版 2004
  • 面発光レーザの基礎と応用
    共立出版 1999
  • Properties, Processing and Application of Gallium Nitride and Related Semiconductors
    emis DATAREVIEWS SERIES NO. 23, INSPEC publications, The Institution of Electrical Engineers, London, United Kingdom 1999
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講演・口頭発表等 (455件)：
  • ナノコラムLEDにおける連続的なITO電極形成技術
    (第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
  • (10-11)上GaInN/GaInN MQWs成長による高効率赤色発光
    (第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
  • その場XRD-RSMを用いたGaN上GaInN Buffer層挿入GaInN RF-MBE成長-GaInNの成長温度依存性-
    (第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
  • 各種In系材料を出発原料に用いたMist CVD成長におけるα-In2O3薄膜の電気的特性に関する評価
    (第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
  • 高Mg組成岩塩構造MgZnO薄膜のミストCVD成長
    (第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023)
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学歴 (3件)：
  • 1990 - 1993 東京工業大学 総合理工学研究科 物理情報工学専攻
  • 1988 - 1990 東京工業大学 総合理工学研究科 物理情報工学専攻
  • 1984 - 1988 東京理科大学 理工学部 物理学科
学位 (3件)：
  • 理学士 (東京理科大学)
  • 工学修士 (東京工業大学)
  • 博士(工学) (東京工業大学)
経歴 (7件)：
  • 2007/04 - 現在 工学院大学工学部情報通信工学科教授(電気磁気学I,II, 同演習)
  • 2006/04 - 2007/03 工学院大学工学部情報通信工学科助教授(電気磁気学I,II, 同演習)
  • 2000/04 - 2006/03 工学院大学工学部電子工学科助教授(電気磁気学I,II, 同演習)
  • 2001/04 - 現在 工学院大学工学研究科修士課程担当(半導体フォトニクスフォトニクス特論, 固体電子工学特論)
  • 1996/04 - 2000/03 工学院大学工学部電子工学科専任講師(電気磁気学I,II, 同演習)
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委員歴 (6件)：
  • 2005/09 - 2006/09 International conference on molecular beam epitaxy program committee
  • 2005/09 - 2006/09 International conference on molecular beam epitaxy program committee
  • 2001/09 - 2002/09 5th International conference on nitrode semiconductors Steering committee
  • 2001/09 - 2002/09 5th International conference on nitrode semiconductors Steering committee
  • 1996/12 - 2000/12 Marerials Research Society MRS Internet Journal of Nitride Smiconductor, Japan News Coordinator
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受賞 (3件)：
  • 1997/07 - 電子材料シンポジウム EMS賞
  • 1996/11 - 応用物理学会 講演奨励賞
  • 1996/03 - 電子通信情報学会 学術奨励賞
所属学会 (8件)：
応用物理学会 ,  電子通信情報学会 ,  照明学会 ,  Marerials Research Society ,  5th International conference on nitrode semiconductors ,  International conference on molecular beam epitaxy ,  5th International conference on nitrode semiconductors ,  International conference on molecular beam epitaxy
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