研究者
J-GLOBAL ID：200901050248837794   更新日: 2024年06月18日

山田 陽一

ヤマダ ヨウイチ | Yamada Yoichi
所属機関・部署：
山口大学 大学院創成科学研究科 工学系学域 電気電子工学分野

山口大学 大学院創成科学研究科 工学系学域 電気電子工学分野 について


職名： 大学院担当教授
研究分野 (2件)： 電気電子材料工学 ,  半導体、光物性、原子物理
研究キーワード (5件)： 光物性 ,  励起子工学 ,  低次元量子ナノ構造 ,  ワイドギャップ半導体 ,  レーザ分光
競争的資金等の研究課題 (13件)：
  • 2022 - 2025 窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
  • 2016 - 2021 結晶特異構造における励起子多体効果の光物性評価と光機能性探索
  • 2016 - 2019 深紫外域混晶量子井戸構造における励起子分子の基礎物性解明とレーザ動作への応用
  • 2013 - 2016 サファイア加工基板側壁を成長起点とした半極性{20-2-1}面GaN基板の作製
  • 2013 - 2016 窒化物系深紫外域混晶半導体における高密度励起子系の光機能性
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論文 (186件)：
  • Kosuke Inai, Ryota Oshimura, Kunio Himeno, Megumi Fujii, Yuta Onishi, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, Yoichi Yamada. Well Number Dependence of Internal Quantum Efficiency in AlGaN Quantum Wells on Low-Dislocation Sputtered AlN Templates. physica status solidi (b). 2024
  • Hideaki Murotani, Kunio Himeno, Hayate Ohkawara, Kaichi Tani, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Noritoshi Maeda, Muhammad Ajmal Khan, Hideki Hirayama, Yoichi Yamada. Photoluminescence Excitation Spectroscopy of Stimulated Emission from AlGaN-Based Multiple Quantum Wells with an Emission Wavelength Around 280 nm. physica status solidi (b). 2024
  • Hideaki Murotani, Kosuke Inai, Kunio Himeno, Kaichi Tani, Hiromasa Hayashi, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Kenjiro Uesugi, Hideto Miyake, Yoichi Yamada. Temperature- and Excitation Power Density-Resolved Photoluminescence of AlGaN-Based Multiple Quantum Wells Emitting in the Spectral Range of 220-260 nm. physica status solidi (b). 2024
  • Minagi Miyamoto, Wataru Matsumura, Ryo Okuno, Syunsuke Matsuda, Koki Hanasaku, Taketo Kowaki, Daisuke Inahara, Satoshi Kurai, Narihito Okada, Yoichi Yamada. Improvement of electrical properties by insertion of AlGaN interlayer for N-polar AlGaN/AlN structures on sapphire substrates. Japanese Journal of Applied Physics. 2023. 62. SN. SN1016-SN1016
  • Taketo Kowaki, Wataru Matsumura, Koki Hanasaku, Ryo Okuno, Daisuke Inahara, Shunsuke Matsuda, Satoshi Kurai, Yongzhao Yao, Yukari Ishikawa, Narihito Okada, et al. Si Doping Effects in AlGaN Channel Layer on Performance of N-polar AlGaN/AlN FETs. physica status solidi (a). 2023
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MISC (103件)：
  • 山田陽一. AlGaN系量子井戸構造における励起子利得. 日本学術振興会光電相互変換第125委員会第262回研究会資料. 2022
  • 室谷 英彰, 山田 陽一, 平山 秀樹. 深紫外発光AlGaNの励起子光物性. 応用物理. 2022. 91. 7. 416-420
  • 中生拓希, 姫野邦夫, 武田椋平, 室谷英彰, 倉井聡, 岡田成仁, KHAN M. Ajmal, 前田哲利, 定昌史, 平山秀樹, et al. 深紫外発光AlGaN量子井戸構造における強励起側の発光効率曲線解析. 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集. 2021. 2021
  • 押村遼太, 稲井滉介, 草場崇史, 藤井厚志, 倉井聡, 岡田成仁, 室谷英彰, 上杉謙次郎, 三宅秀人, 山田陽一. 異なるAlNテンプレート上AlGaN量子井戸構造の内部量子効率. 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集. 2021. 2021
  • 中津留圭悟, 南里翼, 倉井聡, 岡田成仁, 只友一行, 室谷英彰, 矢野良樹, 小関修一, 松本功, 山田陽一. 緑色InGaN系量子井戸構造における内部量子効率の励起波長依存性. 応用物理・物理系学会中国四国支部合同学術講演会講演予稿集. 2021. 2021
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特許 (1件)：
書籍 (6件)：
  • 半導体工学(第3版)
    森北出版株式会社 2013
  • 白色LED照明技術のすべて
    株式会社 工業調査会 2009
  • Wide Bandgap Semiconductors - Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices
    Springer-Verlag GmbH 2007 ISBN:3540472347
  • ワイドギャップ半導体光・電子デバイス
    森北出版株式会社 2006 ISBN:4627773218
  • 白色LED照明システム技術の応用と将来展望
    株式会社 シーエムシー出版 2003 ISBN:4882314037
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講演・口頭発表等 (686件)：
  • 220nm発光帯AlGaN量子井戸構造における偏光特性の温度依存性
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • N極性面GaN/AlN高電子移動度トランジスタのGaNチャネルの最適化
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • 極性反転層を用いた高品質N極性面AlN上GaN/AlN HEMTの性能改善
    (第71回応用物理学会春季学術講演会 2024)
  • Effect of crystallinity of N-polar AlN on the performance of GaN/AlN high electron mobility transistor
    (16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Application for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2024) 2024)
  • Improvement of electrical properties of N-polar GaN/AlN high electron mobility transistor
    (International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2023 (ICMaSS2023) 2023)
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学歴 (3件)：
  • 1990 - 1993 筑波大学 大学院物理学研究科 物理学専攻
  • 1988 - 1990 大阪大学 大学院工学研究科 電気工学専攻
  • 1984 - 1988 大阪大学 工学部 電気工学科
学位 (2件)：
  • 博士(理学) (筑波大学)
  • 工学修士 (大阪大学)
経歴 (14件)：
  • 2022/04 - 現在 山口大学 大学院創成科学研究科長
  • 2022/04 - 現在 山口大学 工学部長
  • 2016/04 - 現在 山口大学 大学院創成科学研究科(工学) 大学院担当教授
  • 2018/04 - 2020/03 山口大学工学部附属工学教育研究センター センター長
  • 2018/04 - 2020/03 山口大学教育研究評議会 評議員
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委員歴 (23件)：
  • 2024 - 現在 International Workshop on Nitride Semiconductors 2024 (IWN2024) プログラム委員会委員
  • 2022/02 - 現在 応用物理学会 代議員
  • 2021/04 - 現在 ワイドギャップ半導体学会 学界委員
  • 2012/04 - 現在 応用物理学会中国四国支部 幹事
  • 2009/04 - 2024/03 日本学術振興会 光電相互変換第125委員会 委員
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受賞 (3件)：
  • 2014/06 - 宇部興産学術振興財団 第54回学術奨励賞
  • 1999/08 - 1999 International Conference on Luminescence and Optical Spectroscopy of Condensed Matter ICL'99 Young Researcher Award
  • 1993/05 - 社団法人 電気学会 第49回電気学術振興賞論文賞
所属学会 (2件)：
応用物理学会 ,  日本物理学会
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