- 2022 - 2025 窒化物半導体AlGaNの非極性面成長と深紫外LED応用
- 2016 - 2021 結晶特異構造における励起子多体効果の光物性評価と光機能性探索
- 2016 - 2019 深紫外域混晶量子井戸構造における励起子分子の基礎物性解明とレーザ動作への応用
- 2013 - 2016 サファイア加工基板側壁を成長起点とした半極性{20-2-1}面GaN基板の作製
- 2013 - 2016 窒化物系深紫外域混晶半導体における高密度励起子系の光機能性
- 2009 - 2010 深紫外混晶半導体における高密度励起子系の光物性評価と光機能性
- 2007 - 2008 窒化アルミニウム系深紫外半導体における高密度励起子系の光物性評価と光機能性
- 2004 - 2006 窒化物系紫外域混晶半導体における励起子分子の局在化と光機能性
- 2000 - 2002 ZnMgCdS系半導体量子構造における励起子分子の局在化の制御と光機能性
- 1997 - 1998 半導体低次元構造における励起子分子の局在化と光学利得の生成機構
- 1996 - 1996 低次元系の励起子分子を利用した短波長量子井戸レーザの作製
- 1994 - 1994 II-VI族半導体量子井戸構造における光学利得の生成機構の解明
- 1992 - 1993 ワイドギャップ半導体歪超格子の基礎物性とその光機能性に関する研究
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