特許
J-GLOBAL ID：200903070482842627

半導体発光素子の内部量子効率を測定する装置及びその方法

発明者：
田口 常正

田口 常正 について

, 
山田 陽一

山田 陽一 について

, 
工藤 広光

工藤 広光 について

, 
岡川 広明

岡川 広明 について


出願人/特許権者：
国立大学法人山口大学

国立大学法人山口大学 について


代理人 (4件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-278641
公開番号（公開出願番号）：特開2007-088389
出願日： 2005年09月26日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：
【課題】 内部量子効率の測定精度を向上させることを課題とする。【解決手段】 第1半導体層と第2半導体層とを有する半導体発光素子100の内部量子効率を測定する方法であって、光源制御部601は、前記第1半導体層の禁制帯幅と前記第2半導体層の禁制帯幅との間のエネルギーに相当する波長を持つ励起光108を放出する励起光源602を設定する。励起光源602は、光源制御部601により設定された各励起パワー密度で励起光108を半導体発光素子100に照射する。検出部607は、励起光源602から照射された光108により半導体発光素子100から放出される光を検出する。制御部610は、検出部607で検出した光の各励起パワー密度における積分発光強度をその励起パワー密度で除算した値に基づいて半導体発光素子100の内部量子効率を演算する。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
第1半導体層と第2半導体層とを有する半導体発光素子の内部量子効率を測定する方法であって、 前記第1半導体層の禁制帯幅と前記第2半導体層の禁制帯幅との間のエネルギーに相当する波長を持つ励起光を選択する選択工程と、 前記選択工程で選択された励起光の励起パワー密度を設定する設定工程と、 前記設定された各励起パワー密度で前記励起光を前記半導体発光素子に照射する照射工程と、 前記照射工程で照射された励起光により前記半導体発光素子から放出される光を検出する検出工程と、 前記検出工程で検出した光の各励起パワー密度における積分発光強度をその励起パワー密度で除算した値に基づいて前記半導体発光素子の内部量子効率を演算する演算工程と、 を含むことを特徴とする測定方法。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/66
FI (2件)：
H01L33/00 K ,  H01L21/66 X
Fターム (6件)：
4M106CA18 ,  5F041AA03 ,  5F041AA46 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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