研究者
J-GLOBAL ID：200901053786944222
更新日: 2020年06月07日
鈴木 亮一郎
スズキリョウイチロウ | Suzuki Ryoichiro
研究分野 (1件)：
電子デバイス、電子機器
研究キーワード (4件)：
MOCVD法
, 量子ドット
, 面発光レーザ
, 半導体レーザ
競争的資金等の研究課題 (1件)：
2007 - 2009 有機金属気相成長法によるGaInNAs系量子ドットとレーザ応用
MISC (4件)：
Ryoichiro Suzuki, Tomoyuki Miyamoto, Tomoyuki Sengoku, Fumio Koyama. Reduction of spacer layer thickness of InAs quantum dots using GaNAs strain compensation layer. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2008. 92. 14. 141110
R. Suzuki, T. Miyamoto, F. Koyama. Wavelength elongation and improved emission efficiency of MOCVD-grown InAs quantum dots by GaNAs buffer layer. Journal of Crystal Growth. 2007. 298. 574
Ryoichiro Suzuki, Tomoyuki Miyamoto, Tetsuya Matsuura, Furnio Koyama. Photoluminescence characterization of InAs quantum dots on GaNAs buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS. 2006. 45. 20-23. L585-L587
R Suzuki, T Miyamoto, T Matsuura, F Koyama. InAs quantum dot formed on GaNAs buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition. PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 3 NO 3. 2006. 3. 3. 528-+
経歴 (1件)：
東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻 大学院生 (博士課程)
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