文献

J-GLOBAL ID：200902219798969610   整理番号：08A0383277

GaNAs歪補償層を用いたInAs量子ドットのスペーサ層厚低減

Reduction of spacer layer thickness of InAs quantum dots using GaNAs strain compensation layer

著者 (4件)： SUZUKI Ryoichiro (Microsystem Res. Center, Precision and Intelligence Lab., Tokyo Inst. of Technol., R2-39, 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  MIYAMOTO Tomoyuki (Microsystem Res. Center, Precision and Intelligence Lab., Tokyo Inst. of Technol., R2-39, 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  SENGOKU Tomoyuki (Microsystem Res. Center, Precision and Intelligence Lab., Tokyo Inst. of Technol., R2-39, 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  KOYAMA Fumio (Microsystem Res. Center, Precision and Intelligence Lab., Tokyo Inst. of Technol., R2-39, 4259 Nagatsuta, Midori-ku ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 14  ページ： 141110  発行年： 2008年04月07日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNAs歪補償層を持つInGaAs被覆InAs量子ドットの発光特性と形状特性を,素子応用のためのスペーサ厚低減に重点を置いて調べた。GaNAs歪補償層を用いて,下部量子ドット層からの歪を補償することで生じた不均一発光広がりの抑制を,上部量子ドット層のドットの大きさ増大抑制により確認した。本結果はスペーサ厚低減に効果がある。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *歪 ,  *補償 ,  ヒ化インジウム ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *量子ドット ,  *スペーサ
準シソーラス用語： *歪補償

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 歪補償 ,  InAs量子ドット ,  スペーサ層 ,  厚