坂本渉

サカモトワタル | Sakamoto Wataru

所属機関・部署：
職名：大学院生(博士課程)

研究分野 (1件)：電子デバイス、電子機器

研究キーワード (4件)：集積回路 , 電子デバイス , Integrated Circuit , Electronic Device

競争的資金等の研究課題 (2件)：

MISC (3件)：

強反転領域におけるSGTの移動度増加. 電子情報通信学会論文誌C. 2005. Vol. J88-C, No. 5, pp. 338-339
Reduction of Pass-gate leakage by silicon-thickness thinning in double-gate MOSFEE. Silicon-on-Insulator Technology and Devices XI, the Electrochemical Society Inc. 2003. PV2003-05. 331-336
Reduction of Pass-gate leakage by silicon-thickness thinning in double-gate MOSFEE. Silicon-on-Insulator Technology and Devices XI, the Electrochemical Society Inc. 2003. PV2003-05. 331-336

学歴 (2件)：

学位 (1件)：

所属学会 (3件)：

電子情報通信学会 , Information and Communication Engineers , The Institute of Electronics

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坂本 渉