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J-GLOBAL ID：200902265389768125   整理番号：05A0402139

強反転領域におけるSGTの移動度増加

Mobility Enhancement in SGT in the Strong Inversion Region

著者 (5件)： 坂本渉 (東北大 電通研) ,  羽田秀生 (東北大 電通研) ,  桜庭弘 (東北大 電通研) ,  中村広記 (東北大 電通研) ,  舛岡富士雄 (東北大 電通研)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C  (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
巻： J88-C  号： 5  ページ： 338-339  発行年： 2005年05月01日 
JST資料番号： S0623C  ISSN： 1345-2827  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本論文では,SGTの強反転領域における電子移動度が実効垂直電...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： SGT【トランジスタ】 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (5件)：

• TAKATO, H. High performance CMOS surrounding gate transistor (SGT) for ultra high density LSIs. IEDM Tech. Dig., Dec. 1988. 1988, 222-225
• YOSHIMI, M. Observation of mobility enhancement in ultrathin SOI MOSFETs. Electron. Lett. 1988, 24, 17, 1078-1079
• MIYANO, S. Numerical analysis of a cylindrical thin-pillar transistor (CYNTHIA). IEEE Trans. Electron Devices. 1992, 39, 8, 1876-1881
• ATLAS User's Manual. 2002
• TAKAGI, S. On the universality of inversion-layer mobility in N- and P-channel MOSFET's. IEDM Tech. Dig., Dec. 1988. 1988, 398-401

タイトルに関連する用語 (2件)： 反転 ,  移動度