研究者
J-GLOBAL ID：200901057439374640
更新日: 2022年08月30日
権丈 淳
ケンジョウ アツシ | Kenjo Atsushi
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所属機関・部署：
九州大学 稲盛フロンティア研究センター
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研究分野 (1件)：
電子デバイス、電子機器
研究キーワード (2件)：
電子デバイス工学
, Electronic Devices
競争的資金等の研究課題 (4件)：
粒子線照射によるSiボンド配列の制御とマイクロプロセスへの応用
Si極微ヘテロ構造の界面制御と次世代ULSIデバイスへの応用
Control of Si bond arrangement by using irradiation and its application to micro-processing technology
Control of interface between Si micro-hetero-structures and its application to the ULSI device processing technology
MISC (3件)：
ZHANG Yi-Qun, KENJO Atsushi, SADOH Taizoh[et al.]. Fabrication and Characteristics Evaluation of CoSi_2-Gate MOS Electron Tunneling Emission Cathode. Research reports on information science and electrical engineering of Kyushu University. 1999. 4. 1. 43-46
Silicon Fine Stracture Formation on Sapphire with Focused Ion Beam. Proc. of (]G0010[)(]G0002[) International Conference on Ion Implantaion Technology((]G0002[)T'98). 1999
CoSi
2
ゲートMOSトンネル構造の形成と評価. 1998. 3. 2. 255
学歴 (2件)：
- 1966 福岡大学 工学部 電気工学科
- 1966 福岡大学
所属学会 (1件)：
電気学会
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