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J-GLOBAL ID：200902114195552700   整理番号：99A0425485

CoSi₂>ゲートMOS電子トンネル放射陰極の作製と特性評価

Fabrication and Characteristics Evaluation of CoSi₂-Gate MOS Electron Tunneling Emission Cathode.

著者 (5件)： ZHANG Y-Q (Kyushu Univ.) ,  KENJO A (Kyushu Univ.) ,  SADOH T (Kyushu Univ.) ,  NAKASHIMA H (Advanced Sci. and Technol. Center for Cooperative Res.) ,  TSURUSHIMA T (Kyushu Univ.)
資料名： 九州大学大学院システム情報科学研究科報告  (Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University)
巻： 4  号： 1  ページ： 43-46  発行年： 1999年03月26日 
JST資料番号： L3016A  ISSN： 1342-3819  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート ,  トンネル ,  放射 ,  陰極 ,  作製 ,  特性評価