研究者
J-GLOBAL ID:200901059053384040   更新日: 2021年12月17日

垣内 拓大

カキウチ タクヒロ | Kakiuchi Takuhiro
所属機関・部署:
職名: 助教(特任講師)
研究分野 (4件): 量子ビーム科学 ,  基礎物理化学 ,  半導体、光物性、原子物理 ,  電子デバイス、電子機器
研究キーワード (9件): 表面界面 ,  表面物性 ,  量子化学 ,  半導体 ,  構造化学 ,  オージェ電子分光法 ,  X線光電子分光法 ,  コインシデンス分光 ,  表面科学
競争的資金等の研究課題 (14件):
  • 2021 - 2024 金属(Hf・Zr)/Si半導体表面界面局所構造中シリサイドの酸化反応理解と制御
  • 2017 - 2020 凹凸あるSi表面でのhigh-k材料超薄膜の成長過程とその低次元物性発現の観測
  • 2018 - 2018 Si(110)単結晶上に作製した二酸化ハフニウム超薄膜の表面界面を選 別した局所価電子状態の同時観測
  • 2017 - 2018 固体表面研究用角度分解同時計数装置の開発による単原子分光研究
  • 2016 - 2017 リアルタイムX線光電子分光法によるシリコン(Si)単結晶上に作製したハフニウム(Hf)超薄膜の酸化過程の観測
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論文 (30件):
MISC (15件):
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講演・口頭発表等 (66件):
  • 超音速酸素分子線照射によるHfSi2/Si(111)表面の酸化と反応障壁高さ
    (2021年日本表面真空学会学術講演会 2021)
  • 内殻光電子分光法によるHf/Si(111)超薄膜表面界面の酸化ダイナミクス
    (第15回分子科学討論会 2021)
  • PFハイブリッドモード用パルスセレクターを用いた内殻励起イオン脱離計測
    (第34回日本放射光学会年会放射光科学合同シンポジウム 2021)
  • 放射光光電子分光法を用いたハフニウム吸着Si半導体の表面界面化学状態を選別した酸化反応追跡
    (2020年日本化学会中国異国支部大会島根大会 2020)
  • Hf 4f, Si 2p, およびO1s 内殻分光によるSi(111)上に作製したハフニウム超薄膜の初期酸化過程解明
    (2019年日本表面真空学会学術講演会 2019)
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学歴 (5件):
  • 2006 - 2008 総合研究大学院大学(総研大) 物質構造科学専攻
  • - 2008 総合研究大学院大学
  • 2004 - 2006 愛媛大学大学院 物質理学専攻
  • 2000 - 2004 愛媛大学 物質理学科
  • - 2004 愛媛大学
経歴 (2件):
  • 2008/04 - 現在 愛媛大学大学院 理工学研究科環境機能科学専攻 助教(特任講師)
  • 2017/08 - 2018/08 Helmholtz Zentrum Berlin Methods and Instrumentation for Synchrotron Radiation Research Guest Resecher
委員歴 (2件):
  • 2015/04 - 現在 愛媛大学理学同窓会 幹事
  • 2020/08 - 2020/08 愛媛大学Webオープンキャンパス理学部WG座長 オープンキャンパス理学部WG
受賞 (2件):
  • 2020/12 - 愛媛大学理学部 理学部研究奨励賞
  • 2019/12 - 愛媛大学理学部 理学部研究奨励賞
所属学会 (4件):
分子科学会 ,  日本表面科学会 ,  日本物理学会 ,  日本化学会
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