研究者
J-GLOBAL ID:200901060228187918   更新日: 2024年02月01日

中島 義賢

ナカジマ ヨシカタ | Nakajima Yoshikata
所属機関・部署:
職名: 特任准教授
ホームページURL (1件): http://www.insd.osaka-u.ac.jp/
研究分野 (2件): 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (7件): 磁性ナノ粒子 ,  Electrophoretic Coulter Method ,  マイクロ流体デバイス ,  MOSFET ,  SOI基板 ,  MOSFET ,  SOI wafer
競争的資金等の研究課題 (10件):
  • 2021 - 2024 細胞分析デバイスよる細胞外シグナルの計測およびその細胞の未来予測
  • 2018 - 2021 ラボオンチップを電子デバイス化するための電気信号による生体反応の検出技術の確立
  • 2018 - 2021 がん治療や医療用検査デバイスに応用可能な新規ナノ材料の開発
  • 2017 - 2020 電気泳動コールター法(ECM)を医療用検査機器として実用化する為の新素材の活用
  • 2015 - 2018 Si-On-Quartz基板をプラットホームとした生化学分析デバイスの開発
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論文 (60件):
  • Jun Tatebayashi, Kazuto Nishimura, Shuhei Ichikawa, Shinya Yamada, Yoshikata Nakajima, Kazuhisa Sato, Kohei Hamaya, Yasufumi Fujiwara. Red Electroluminescence from Light Emitting Diodes Based on Eu-Doped ZnO Embedded in p-GaN/Al2O3/n-ZnO Heterostructures. ECS Journal of Solid State Science and Technology. 2023. 12. 7. 076017-076017
  • Yudai Nakanishi, Yusuke Hayashi, Takeaki Hamachi, Tetsuya Tohei, Yoshikata Nakajima, Shiyu Xiao, Kanako Shojiki, Hideto Miyake, Akira Sakai. Micro- and Nanostructure Analysis of Vapor-Phase-Grown AlN on Face-to-Face Annealed Sputtered AlN/Nanopatterned Sapphire Substrate Templates. Journal of Electronic Materials. 2023
  • Kaname Sato, Yutaro Takahashi, Shujiro Akisato, Ryota Mikami, Nao Suganuma, Yugo Ashizawa, Hayate Kawaguchi, Yoshikata Nakajima, Tomofumi Ukai, Yasuhiko Fuji, et al. Spin-charge-coupled transverse resistance in an ambipolar conductor YH2-based Hall-bar structure with perpendicularly magnetized current-injection electrodes. Physica Scripta. 2023. 98. 4. 045912-045912
  • 中島義賢. オンラインTEMトレーニング簡易システム. 顕微鏡. 2022
  • Neeti Keswani, Ricardo J. C. Lopes, Yoshikata Nakajima, Ranveer Singh, Neha Chauhan, Tapobrata Som, D. Sakthi Kumar, Afranio R. Pereira, Pintu Das. Controlled creation and annihilation of isolated robust emergent magnetic monopole like charged vertices in square artificial spin ice. Scientific Reports. 2021. 11. 1
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MISC (31件):
講演・口頭発表等 (9件):
  • Electrophoretic mobility and resultant zeta potential of an individual cell analyzed by electrophoretic Coulter method
    (2009 International Semiconductor Device Research Symposium, ISDRS '09 2009)
  • Proposal of heavily doped silicon between insulators MOSFETs and confirmation of their advantages by device simulation
    (2009 International Semiconductor Device Research Symposium, ISDRS '09 2009)
  • Correlation between high-density trap states and local stress near SOI/BOX interface in SIMOX wafers
    (2009 International Semiconductor Device Research Symposium, ISDRS '09 2009)
  • Discussion of origins of high-density trap states in SIMOX wafers
    (Proceedings of the 10th International Conference on ULtimate Integration of Silicon, ULIS 2009 2009)
  • Suppression of DIBL in deca-nano SOI MOSFETs by controlling permittivity and thickness of BOX layers
    (Proceedings of the 10th International Conference on ULtimate Integration of Silicon, ULIS 2009 2009)
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学歴 (3件):
  • - 2005 東洋大学 工学研究科 博士後期課程 電気工学専攻
  • - 2002 東洋大学 工学研究科 博士前期課程 電気工学専攻
  • - 2000 東洋大学 工学部 電気電子工学科
学位 (1件):
  • 博士(工学) (東洋大学)
所属学会 (3件):
IEEE ,  応用物理学会 ,  The Japan Society of Applied Physics
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