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J-GLOBAL ID：201902230607989276   整理番号：19A0014325

GaAs/AlGaAsのヘテロ構造における2次元電子ガスからのサブミクロンスケールHall素子の作製と特性評価【JST・京大機械翻訳】

Fabrication and characterization of sub-micron scale hall devices from 2-dimensional electron gas at the heterostrutcure of GaAs/AlGaAs

著者 (6件)： Keswani Neeti (Department of Physics, Indian Institute of Technology, Delhi, India) ,  Nakajima Yoshikata (Bio-Nano Electronic Research Centre, Toyo University 2100, Kujirai, Kawagoe, Saitama 350-8585, Japan) ,  Chauhan Neha (Bio-Nano Electronic Research Centre, Toyo University 2100, Kujirai, Kawagoe, Saitama 350-8585, Japan) ,  Kumar Sakthi (Bio-Nano Electronic Research Centre, Toyo University 2100, Kujirai, Kawagoe, Saitama 350-8585, Japan) ,  Ohno H. (Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Das Pintu (Department of Physics, Indian Institute of Technology, Delhi, India)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 1953  号： 1  ページ： 050071-050071-4  発行年： 2018年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ナノ磁気研究に使用されるサブミクロンHallデバイスの作製と輸送特性を報告する。電子ビームリソグラフィーとそれに続く二次元電子ガス(2-DEG)を含むGaAs/AlGaAsヘテロ構造のウェットエッチングを用いてHall棒を作製した。多重金属層を用いたメタライゼーションを用いて,表面下約240nmの2-DEGとのOhm接触を達成した。X線光電子分光法(XPS)を用いた金属層の詳細なキャラクタリゼーションにより,合金形成と拡散の役割を実証し,2-DEGとのオーム接触を形成した。電子輸送測定は2-DEGの金属特性を示した。Hall効果と磁気抵抗を測定し,暗所での5Kで4.2×10~4cm~2/V-sのキャリア移動度を推定した。Copyright 2019 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線光電子分光法 ,  磁気抵抗 ,  合金 ,  *ヒ化ガリウム ,  電子ビームリソグラフィー ,  メタライゼーション ,  キャリア移動度 ,  *二次元電子ガス ,  ウェットエッチング ,  磁気 ,  多重化 ,  *キャラクタリゼーション ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム
準シソーラス用語： 暗所 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  AlGaAs ,  ヘテロ構造 ,  2次元電子ガス ,  Hall素子 ,  作製 ,  特性評価