研究者
J-GLOBAL ID:200901061122000548
更新日: 2020年09月01日
谷口 良一
タニグチ リョウイチ | Taniguchi Ryoichi
この研究者にコンタクトする
直接研究者へメールで問い合わせることができます。
所属機関・部署:
大阪府立大学 産学官連携機構 放射線物理学研究分野
大阪府立大学 産学官連携機構 放射線物理学研究分野 について
「大阪府立大学 産学官連携機構 放射線物理学研究分野」ですべてを検索
職名:
助教授
研究分野 (1件):
原子力工学
研究キーワード (2件):
原子力学
, Nuclear Engineering
競争的資金等の研究課題 (5件):
アスベストの、遠隔、非破壊、高感度検出法の研究
固体内核反応に関する研究
実時間中性子ラジオグラフィに関する研究
Study on Anomalous nuclear reactions in Hydrogen/Solid systems
Study on Real-Time Neutron Radiography
MISC (45件):
M Suezawa, N Fukata, Y Takada, R Taniguchi, F Hori, R Oshima. Point defects in silicon crystals studied via complexes with hydrogen. MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2003. 66. 1-4. 258-267
M Suezawa, N Fukata, Y Takada, R Taniguchi, F Hori, R Oshima. Point defects in silicon crystals studied via complexes with hydrogen. MICROELECTRONIC ENGINEERING. 2003. 66. 1-4. 258-267
Effect of 8MeV electron irradiation on electrical properties of CuInSe<sub>z</sub> thin films. Solar Energy Materials & Solar Cells. 2003. 75, 115-120
Tooru Tanaka, Toshiyuki Yamaguchi, Akihiro Wakahara, Akira Yoshida, Ryoichi Taniguchi, Yatsuka Matsuda, Masatoshi Fujishiro. Effect of 8 MeV electron irradiation on electrical properties of CuInSe
2
thin films. Solar Energy Materials and Solar Cells. 2003. 75. 1-2. 115-120
Migration Energies of Point Defects during Electron Irradiation of Hydrogenated Si Crystals. Physical Review B. 2002. 66, 155201-1-6
もっと見る
書籍 (6件):
非破壊検査工学叢書、非破壊検査の最前線
非破壊検査協会発行 2002
放射線の安全取扱(共著)
日本非破壊検査協会 1996
Safety Technique for Radiographic Testing
1996
中性子ラジオグラフィ写真集(共著)
日本非破壊検査協会 1995
原子力計測への先端的計算機応用
原子力と先端技術(〓);日本原子力産業会議 1995
もっと見る
Works (1件):
電子線形加速器を用いた極微量ウランの検出法に関する研究
2000 - 2005
学歴 (4件):
- 1982 大阪大学 工学研究科 原子力工学
- 1982 大阪大学
- 1980 大阪大学 工学部 原子力工学
- 1980 大阪大学
学位 (1件):
博士(工学)
受賞 (1件):
1993 - 第15回日本非破壊検査協会奨励賞
所属学会 (3件):
非破壊検査協会
, 応用物理学会
, 日本原子力学会
※ J-GLOBALの研究者情報は、
researchmap
の登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、
こちら
をご覧ください。
前のページに戻る
TOP
BOTTOM