研究者
J-GLOBAL ID：200901061474847427
更新日: 2003年11月19日
柴田 智彦
シバタ トモヒコ | Shibata Tomohiko
所属機関・部署：
旧所属 三重大学 大学院工学研究科 材料科学専攻
旧所属 三重大学 大学院工学研究科 材料科学専攻 について
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職名：
大学院学生(博士課程)
研究分野 (1件)：
電気電子材料工学
研究キーワード (2件)：
電気電子工学
, Electrical Electronic Engineering
競争的資金等の研究課題 (2件)：
MOVPE法による窒化物半導体エピタキシャル成長と欠陥制御
Epitaxial growth and defect control of (]G0003[)-(]G0005[) nitrides using MOVPE
MISC (13件)：
New buffer layer technique using underlying epitaxial AlN films for high-quality GaN growth. Compound Semiconductors 2001 (Inst. Phys. Conf. Ser. No. 170) 795. 2002
New buffer layer technique using underlying epitaxial AlN films for high-quality GaN growth. Compound Semiconductors 2001 (Inst. Phys. Conf. Ser. No. 170) 795. 2002
AlN Epitaxial Growth on Off-Angle R-Plane Sapphire Substrates by MOCVD. Journal of Crystal Growth Vol. 229 (2001) 63. 2001
AlN Epitaxial Growth on Off-Angle R-Plane Sapphire Substrates by MOCVD. J. Cryst. Growth. 2001. 229. 63-68
Surface Acoustic Wave Filters at 2.4GHz using AlN Deposited on Off-Angle R-Plane Sapphire Substrates by MOCVD. IPAP Conf. Series Vol. 1, (2000) 981. 2000
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学歴 (4件)：
- 1992 京都大学 理学研究科 化学専攻
- 1992 京都大学
- 1990 京都大学 理学部 化学専攻
- 1990 京都大学
学位 (1件)：
修士 (京都大学)
所属学会 (2件)：
Materials Research Society
, 日本応用物理学会
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