オフ角R面サファイア基板上でのMOCVDによるAlNエピタクシー成長

文献

J-GLOBAL ID：200902183590120072 整理番号：01A0701746

AlN epitaxial growth on off-angle R-plane sapphire substrates by MOCVD.

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資料名：
巻： 229 ページ： 63-68 発行年： 2001年07月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

[1-101]サファイア方向に対して基板表面が傾いている標記...

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半導体薄膜

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