石谷善博

イシタニヨシヒロ | Ishitani Yoshihiro

所属機関・部署：
職名：教授
ホームページURL (1件)： http://www.photonics.te.chiba-u.jp

研究分野 (3件)：薄膜、表面界面物性 , 光工学、光量子科学 , 結晶工学

研究キーワード (9件)：時間分解ラマン分光 , 表面マイクロ構造を用いたLOフォノン共鳴THz~中赤連続光外放射 , フォノン輸送制御・イメージング , フォノン系量子干渉 , フォノン・キャリアダイナミクス , 窒化物半導体 , 半導体ナノ構造 , 半導体光デバイス , 光物性

競争的資金等の研究課題 (15件)：

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論文 (149件)：

Bojing Lin, Hnin Lai Lai Aye, Yoshihiro Ishitani. Impact of material-dependent radiation - longitudinal optical phonon interaction on thermal electric-dipole radiation from surface metal-semiconductor grating structures. Infrared Physics and Technology. 2024. 142. 105518
Masaya Chizaki, Yoshhiro Ishitani. Advantages of ultra-thin AlN/GaN/AlN-quantum wells for excitonic population distribution and transition features studied by phononic-excitonic-radiative model. Physica Status Solidi B. 2024
Thee Ei Khaing Shwe, Tatsuya Asaji, Daisuke Iida, Mohammed Najmi, Kazuhiro Ohkawa, Yoshihiro Ishitani. Local augmentation of phonon transport at GaInN/GaN heterointerface by introducing a graded variation of InN mole fraction. Applied Physics Letters. 2024
Thee Ei Khaing Shwe, Tatsuya Asaji, Ryota Kimura, Daisuke Iida, Mohammed A. Najmi, Kazuhiro Ohkawa, Yoshihiro Ishitani. Photoluminescence emission efficiency analysis methodology by integrating Raman spectroscopy of the A1(LO) and E2(high) phonons in a GaInN/GaN heterostructure. Physica Status Solidi B. 2024
Longitudinal optical (LO) and LO-like phonon resonant mid-infrared radiation emission and absorption by surface micro-structures on III-nitrides. SPIE, Gallium Nitride Materials and Devices XIX. 2024. 12886. 1288605

MISC (20件)：

Shigefusa F. Chichibu, Yoshinao Kumagai, Kazunobu Kojima, Momoko Deura, Toru Akiyama, Munetaka Arita, Hiroshi Fujioka, Yasufumi Fujiwara, Naoki Hara, Tamotsu Hashizume, et al. Frontiers of Nitride Semiconductor Research FOREWORD. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2019. 58
今井大地, 石谷善博, 王新強, 吉川明彦. 26pKA-2 窒化インジウムにおけるフォノン放出を伴う非輻射再結合(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン)). 日本物理学会講演概要集. 2013. 68. 2. 859-859
今井大地, 石谷善博, 王新強, 草部一秀, 吉川明彦. InNの非輻射性キャリア再結合過程におけるキャリア輸送及び熱活性化過程の影響. 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス. 2012. 112. 327. 103-108
草部一秀, 石谷善博, 吉川明彦. InN系窒化物半導体超薄膜非対称量子井戸構造の新規光デバイス開発に向けて : 発光素子から太陽電池への展開. 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス. 2009. 109. 288. 79-82
草部一秀, 石谷善博, 吉川明彦. InN系窒化物半導体超薄膜非対称量子井戸構造の新規光デバイス開発に向けて : 発光素子から太陽電池への展開. 電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料. 2009. 109. 289. 79-82

特許 (1件)：

書籍 (4件)：

講演・口頭発表等 (43件)：

Longitudinal optical (LO) and LO-like phonon resonant mid-infrared radiation emission and absorption by surface micro-structures on III-nitrides
(SPIE Photonics West 2024)
Phonon transport analysis by simultaneous irradiation of two laser beams in microscopic Raman spectroscopy
(フォノンエンジニアリング研究会 2021)
Analysis of LO phonon properties in III-nitrides: interaction with carriers and microscopic analysis
(SPIE Photonics West 2021)
Longitudinal Optical Phonon Resonant THz - Mid Infrared Radiation From Surface Metal-Semiconductor Microstructures
(IRMMW-THz 2020 2020)
Local heat energy transport analysis in GaInN/GaN heterostructures by microscopic Raman imaging exploiting simultaneous irradiation of two laser beams
(ASME InterPACK2020 2020)

学歴 (2件)：

学位 (2件)：

経歴 (6件)：

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委員歴 (17件)：

2021/04 - 現在ワイドギャップ半導体学会学会委員企画委員
2021 - 現在 ICNS2023 プログラム委員会委員
2019 - 現在 International Workshop on Nitride Semiconductors 2022(Berlin, Germany) プログラム委員
2016/04 - 現在千葉市産業振興財団千葉市事業可能性評価委員会
2001/04 - 2021/03 日本学術振興会第162委員会委員

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受賞 (7件)：

2020/12 - 応用物理学会フォノンエンジニアリング研究グループ第4回研究会優秀ポスター賞 LO phonon resonant mid-IR emission from surface-metal structures on indirect electronic transition type semiconductors
2020/12 - 応用物理学会フォノンエンジニアリング研究グループ第4回研究会優秀ポスター賞 Analysis of phonon transport at GaInN/GaN heterointerfaces by Raman spectroscopy using simultaneous irradiation of two lasers
2019/07 - フォノンエンジニアリング研究会ポスター賞価電子帯間遷移-2種LOフォノン系における量子干渉の理論解析
2016/09 - 応用物理学会優秀論文賞
2016 - 第8回窒化物半導体結晶成長講演会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会 (2016) 研究奨励賞

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所属学会 (3件)：

日本結晶学会 , 応用物理学会 , 日本物理学会

※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。登録・更新については、こちらをご覧ください。

石谷 善博