文献

J-GLOBAL ID：201902223828555646   整理番号：19A0626069

サファイア基板上の単一ドメインZnTe層の追跡【JST・京大機械翻訳】

Pursuit of single domain ZnTe layers on sapphire substrates

著者 (2件)： Kobayashi Masakazu (Department of Electrical Engineering and Bioscience, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Kobayashi Masakazu (Kagami Memorial Research Institute for Materials Science and Technology, Waseda University, Tokyo, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 512  ページ： 189-193  発行年： 2019年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnTe層をサファイア基板,すなわちc-,a-,r-,およびS-面の種々の配向表面上に成長させた。基板配向を注意深く制御し,薄いバッファ層を導入することにより,単一ドメイン支配層を達成した。基板表面を約1000°Cでアニールし,ステップテラス構造の原子的に滑らかな表面を得た。ステップテラス構造基板を用いて,単一ドメイン層を達成した。r面とS面から成る基板表面のナノファセット構造をm面基板表面のアニーリングにより得た。ZnTeの核形成はナノファセットに沿って起こった。ナノファセットのS面上のZnTeの優先的核形成が起こることを確認した。ZnTe層の窒素ドーピングを行い,ドーピング効率はGaAs基板上に作製したZnTe層と同様に良好であることを確認した。これは,作製したZnTe層に対する高い結晶品質のもう一つの指標である。Copyright 2019 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *テルル化亜鉛 ,  バッファ層 ,  X線回折 ,  *基板 ,  核形成 ,  *サファイア ,  ドーピング ,  MBE成長 ,  焼なまし ,  結晶品質 ,  基板表面 ,  *サファイア基板 ,  *鉱石 ,  *宝石
準シソーラス用語： ナノファセット ,  *単分域 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： A3 分子ビームエピタクシー ,  B1 亜鉛化合物 ,  B1 サファイア ,  A1 結晶構造 ,  A1 X線回折

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： サファイア基板 ,  単一ドメイン ,  ZnTe ,  追跡