研究者
J-GLOBAL ID：200901068990601501   更新日: 2020年08月29日

中西 久幸

ナカニシ ヒサユキ | Nakanishi Hisayuki
研究分野 (1件)： 電気電子材料工学
競争的資金等の研究課題 (2件)：
  • 1968 - 2007 次世代太陽電池「CIS系太陽電池」の各構成層および各界面の安全・簡便・安価な作製方法の検討
  • 1968 - 2007 Crystal growth and characterization of chalcopyrite materials CuInGaSe2 film for solar cells.
MISC (101件)：
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学歴 (4件)：
  • - 1968 東京理科大学 理学研究科 物理学専攻
  • - 1968 東京理科大学
  • - 1966 東京理科大学 理学部 物理学科
  • - 1966 東京理科大学
学位 (1件)：
  • 理学博士 (東京理科大学)
経歴 (8件)：
  • 1992 - 2007 東京理科大学理工学部 教授
  • 1992 - 2007 Professor, Faculty of Science & Technology Tokyo University of Science
  • 1987 - 1992 東京理科大学理工学部 助教授
  • 1987 - 1992 Associate Professor, Faculty of Science & Technology Tokyo University of Science
  • 1983 - 1987 東京理科大学理工学部 講師
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